唯样商城为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMN3730U-7 元器件,主要参数为:±8V 450mW(Ta) 460mΩ@200mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 0.94A,DMN3730U-7库存充足,购买享优惠!
DMN3730U-7 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 输入电容(Ciss) 64.3pF @25V(Vds) 工作温度(Max) 150 ℃ 工作温度(Min) -55 ℃ 耗散功率(Max) 710 mW 封装参数 安装方式 Surface Mount 引脚数 3 封装 SOT-23 外形尺寸 长度
DMN13H750S-7 DMN1019UVT-7 DMN24H3D5L-7 DMN61D8L-7 DMN10H120SE-13 CSD19535KTTT DMN1260UFA-7B CSD17578Q5AT STD15N60M2-EP CSD18542KCS DMN1045UFR4-7 RF4E110GNTR CSD18531Q5AT FCH041N65F_F085 DMN2550UFA-7B RF4E070GNTR DMN30H4D0LFDE-7 FCH077N65F_...
立创商城提供JSMSEMI(杰盛微)的场效应管(MOSFET)DMN3730U-7-JSM中文资料,PDF数据手册,引脚图,封装规格,价格行情和库存,采购DMN3730U-7-JSM上立创商城
DMN3730U-7概述 DMN3730U-7 产品概述 1. 概述 DMN3730U-7 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为低功耗、高效率的开关应用而设计。该产品由 DIODES(美台)公司制造,采用紧凑的 SOT-23 封装,适用于对空间有严格要求的电子设备。具有高导通效率和优异的散热能力,DMN3730U-7 是电源...
型号 DMN3730U-7 FDV303N 唯样编号 B-DMN3730U-7 A32-FDV303N-0 制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor 供应商 富昌电子 唯样自营 分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET 描述 N-Channel 30 V 460 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 N-Channel 25 V 0.45 Ohm Surface Mount Dig...
型号: DMN3730U-7-VB 商品编号: G12240482 封装规格: SOT23-3 商品描述: 台积电流片,长电封测。一款单通道N沟道场效应晶体管(SingleN),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻...
DMN3730U-7 概述 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN SOT23 30V N沟道增强型MOSFET ,SOT23封装 DMN3730U-7 数据手册 通过下载DMN3730U-7数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。 PDF下载 Product specification DMN3730U 30V N-...
Diodes Incorporated DMN3730U-7 - 属性参数 Attributes Table Fet Type:N-Ch Drain-to-Source Voltage [Vdss]:30V Drain-Source On Resistance-Max:460mΩ Rated Power Dissipation:450|mW Qg Gate Charge:1.6nC 封装类型:SOT-23 (SC-59,TO-236) ...
DMN3730U-7由JSMSEMI/杰盛微设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 DMN3730U-7 价格参考￥ 0.2645 。 JSMSEMI/杰盛微 DMN3730U-7 封装/规格: SOT-23-3, N沟道,30V,6.5A,30mΩ@10V。你可以下载 DMN3730U-7 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有详细引脚图及功...