DMN3150LW-7.pdf RoHs无铅/符合RoHs无铅/符合RoHs 规格信息 宽度-1.3 mm Rds On(Max)@Id,Vgs-88mΩ@1.6A,4.5V 漏源极电压Vds20V28V Pd-功率耗散(Max)0.3W350mW(Ta) 输出电容0.3pF- 栅极电压Vgs0.7V,8V±12V FET类型N-ChannelN-Channel
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DMN3150LW-7 价格参考3.22。AMI DMN3150LW-7 封装/规格:位置传感器,SENSOR ANGLE 360DEG SMD。 你可以下载DMN3150LW-7中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
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