本发明公开了一种DLTS结合DLOS确定GaN辐照缺陷能级的方法及装置.在DLTS测试系统上添加光学系统,成为DLTS与DLOS耦合的测试系统,可以同时改变待测样品所处环境的温度和光子能量条件,分别获得不同测试条件下的待测样品的电容值,根据电容值变化分析判断辐照缺陷能级,使得在确定GaN辐照缺陷能级上不受温度的影响,大幅缩短测试...
1.一种DLTS结合DLOS确定GaN辐照缺陷能级的方法,其特征在于,包括:确定GaN辐照缺陷能级的具体实现方法为: 步骤1改变测试的温度条件和/或光子能量条件,获得不同所述温度条件和/或不同所述光子能量条件下待测样品的电容值; 步骤2:根据不同的脉冲信号接收所述电容值; 步骤3:将不同所述温度条件的不同时间宽度下的所...
材料质量控制:检测半导体晶体生长中的杂质或位错缺陷,例如GaN、SiC等宽禁带材料。 器件失效分析:评估功率器件(如MOSFET、二极管)在高温高压下的缺陷演化,预测寿命。 新材料表征:针对氧化镓(Ga₂O₃)等新兴半导体,揭示不同多形体(β相、α相)的缺陷特性差异。 三、技术优势与局限性 优势: 灵敏...
15、S Electronic including Boonton 7200 capacitance meter Pos.2: HE-1020 Complete Software Soft ware package Pos.3: Constant Capacitance option Pos.4: 100 V option (useful for GaN,SiC) Pos. 5: Fast Pulse Interface Pos. 6: Agilent 33519 pulse generator Pos. 7: Optical excitation option incl...
报告主题:Deep traps in GaN-based materials studied by DLTS-related techniques Dr. Teimuraz Mchedlidze:弗赖贝格工业大学应用物理研究所,主要研究半导体中各种缺陷和纳米结构的研究、工程和应用以及改进现有的材料表征方法并发明新的方法,有着30多年的经验。
Evaluation of deep levels in GaN grown by RF-MBE on GaN template by capacitance DLTS 机译:通过电容DLTS评估RF-MBE在GaN模板上通过RF-MBE生长的GaN中的深能级 获取原文 获取原文并翻译 | 示例 获取外文期刊封面封底 >> 开具论文收录证明 >> 文献代查 >> 页面...
检测Si、ZnO、GaN等半导体材料中微量杂质、缺陷的深能级及界面态 产品型号:DLTS 参考价格:面议 厂商性质:一般经销商 产地:美国 3I 指数:404 仪器简介: 美国高分辨深能级瞬态谱仪是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段!测试功能:电容模式、定电容模式、电流模式、(双关联 模式)、光...
et al., Electrical Characterization of Traps in AlGaN/GaN FAT-HEMT on Silicon Substrate by C-V and DLTS Measurements, Journal of Modern Physics, 2011, 2, 1229- 1234Charfeddine, M., Gassoumi, M., Mosbahi, H., Gaquiére, C., Zaidi, M.A., Maaref, M.: Electrical characterization of...
The dependence of deep levels in GaN epitaxial layer grown by molecular beam epitaxy on the V/III ratio was studied by capacitance deep level transient spectroscopy (DLTS). Four peaks corresponding to the electron traps were observed in the unintentionally n-doped GaN films grown at various growth...
DLTS分析栅漏电由于Ga N材料具有许多杰出的特性,例如高的击穿场强、高的面电荷密度和高的电子迁移率,使得AlGaN/GaN HEMTs器件已经广泛地应用于高频和高功率领域,而... 雷蕾 - 《西安电子科技大学》 被引量: 0发表: 2015年 CWCO_2激光在硅中引入的位错深能谱研究 用三种钯源对p~+nn~+和n~+pp~+硅二极管...