1．结构优化（非U计算）先使用普通DFT优化晶格参数（注意：U值对结构敏感，建议优化后再启用U）。2．静态计算（开启U值）在优化后的结构上添加DFT+U参数，设置U=6.0（Ni的d轨道典型值）。3．结果分析 对比带隙、磁矩等是否与实验值（NiO带隙~4.3 eV）吻合。若偏差大，可微调U值。3.2 输入文件示例 INCAR片...
本次计算,能带的带隙为 1.8676eV ,文献[2]中结果为 1.95eV 。从以上两图可以看出,结果大致相同。 在43.5 到 43.2 eV 之间, 主要为 U 的 6s 电子, 态密度曲线尖锐, 表明其原子态的轨道, 并未形成能带。 从态密度曲线可以看出, 价带主要是由 U 的 5f 和 O 的 2p 轨道组成, 而导带则由 U 的 6d ...
例如,对于Si、GaAs等简单的半导体材料,在LDA/GGA下的DFT给出的带隙远远偏小;对于Ge、InN等小带隙半导体,从LDA/GGA得到的是金属态,而实验上观测到的却是半导体,这就是所谓的DFT计算中的带隙问题。 DFT+U理论 在简单的固体理论中,固体中电子之间的静电相互作用被忽略,不会出现在哈密顿算符里。然而,在许多物质...
】 "在不使用+U模型时,也就是U=0,这时d/f电子最容易受外部势的影响而左右摇摆,从宏观上来看,就是分布比较均匀,能带很宽。一旦+U以后,立即受到束缚,从而能带变窄。" 这句话容易引起歧义,补充一下,【U越大,能带越宽,对应带隙越小;U越小,能带变窄,对应带隙越大。】 7、单粒子近似【DFT计算电子-电子间的...
DFT计算中的带隙问题 密度泛函理论(Density functional theory,缩写DFT)作为一种研究多电子体系电子结构的方法,在物理和化学上都有广泛的应用。DFT计算中用电子密度取代波函数做为研究的基本量,将函数变量由3N个(多电子波函数的变量)变为3个(电子密度的变量),无论在概念上...
DFT计算中的带隙问题 密度泛函理论(Density functional theory,缩写DFT)作为一种研究多电子体系电子结构的方法,在物理和化学上都有广泛的应用。DFT计算中用电子密度取代波函数做为研究的基本量,将函数变量由3N个(多电子波函数的变量)变为3个(电子密度的变量),无论在概念上还是实际上都更方便处理。
不可以,首先+U对带隙计算的改善来自于对GGA强相关作用描述差的改善,带隙变得更好只是加入了一个额外能量的副作用,其次给Si这样的主族元素+U,等着被审稿人骂吗。这里就引入一下metaGGA吧,metaGGA在GGA-PBE考虑电荷密度梯度的基础上,加入了动能密度项,在能量和能带计算上的精度更高,这里引入传说中的量子计算的...
然后还有一个问题想请教您一下就是DFT+u,添加前后是不是并不是对于所有的体系都可以使其能带带隙变...
DFT计算中,U值更大通常会导致能带的“重正化”,即能带结构会发生变化。因为U值代表了自旋相反电子的强关联排斥能,在Hubbard模型一级近似下,考虑了同一个原子上自旋相反的局域电子之间的库伦排斥。所以,当U值增大时,这种排斥作用会增强,从而影响能带结构。具体来说,可能会导致带隙的增大或者能带形状的改变。不过,这需...
通过计算不同的LDAUU = LDAUJ值,得到了线性响应结果如下。 将线性响应结果代入公式计算得到NiO中Ni-d电子的U值为5.58 eV。 Bengone等人(Phys. Rev. B. 2000, 62, 16392)使用了不同的U值进行NiO的LDA+U计算。当使用U=5 eV时,得到了2.8 eV的光学带隙,和实验光吸收光谱之间有很好的一致性。