DFT+U计算需要在输入文件INCAR中添加命令,其具体含义如下所示: LDAU= .TRUE.|.FALSE.#开启/关闭+U功能,默认值为.FALSE.; LDAUTYPE=1|2|4#+U的类型,默认值是2,2为Dudarev等提出的简化 LSDA+U方法; LMAXMIX =2/4/6#默认为2,加U计算时该值需大于轨道量子数,...
基于KS DFT计算可以对很多材料进行定性描述,但从定量角度却不尽人意。例如,对于Si、GaAs等简单的半导体材料,在LDA/GGA下的DFT给出的带隙远远偏小;对于Ge、InN等小带隙半导体,从LDA/GGA得到的是金属态,而实验上观测到的却是半导体,这就是所谓的DFT计算中的带隙问题。 DFT+U理论 在简单的固体理论中,固体中电子...
DFT+U计算需要在输入文件INCAR中添加命令,其具体含义如下所示: LDAU= .TRUE.|.FALSE.#开启/关闭+U功能,默认值为.FALSE.; LDAUTYPE=1|2|4#+U的类型,默认值是2,2为Dudarev等提出的简化 LSDA+U方法; LMAXMIX =2/4/6#默认为2,加U计算时该值需大于轨道量子数,对于含有d轨道或f轨道电子的体系需对应增加...
npj: 准确计算能带带隙—WKM方法 使用普通平面波Kohn-Sham方程计算的密度泛函理论(DFT)时,通过理论计算得到的带隙往往会小于实际实验得到的带隙。一般而言,DFT+U可以通过调整U值、杂化密度泛函可以通过调整杂化比例,得到与实验相符的带隙,但是这些计算方法需要有经验依据来设定参...
DFT+U计算求助 问一下大家在做DFT+U计算的时候,对U值的判断标准是基于+U后优化的晶格常数,还是+U后计算的带隙值的。 例如ZnO的计算,我看基本所有文献都是以优化后的晶格常数为判断标准,决定U值后在去计算带隙,可是这个带隙比实验值小很多。 而我尝试过直接不加U直接优化晶格(PBE得到晶格常数还是很准确的),...
Abinit教程-DFT+U计算 对于含过渡金属或稀土金属元素的材料,使用DFT+U的方法可以更好地计算局域态电子(d/f轨道),通过添加Hubbard-U参数,DFT+U方法可获得与实验比更准确的磁矩和能带带隙,abinit官网上有教程: https://docs.abinit.org/tutorial/dftu/
但实际上+U后电子密度要发生驰豫,结构也会随着结构变形,其实没有原理保证+U绝对能够确保带隙增加。
不可以,首先+U对带隙计算的改善来自于对GGA强相关作用描述差的改善,带隙变得更好只是加入了一个额外能量的副作用,其次给Si这样的主族元素+U,等着被审稿人骂吗。这里就引入一下metaGGA吧,metaGGA在GGA-PBE考虑电荷密度梯度的基础上,加入了动能密度项,在能量和能带计算上的精度更高,这里引入传说中的量子计算的...
DFT计算MnO的能带结构发现该体系是金属[3],而实验观察到其是绝缘体[4],主要原因在于MnO中Mn的d轨道电子存在强烈的库仑相互作用,而一般的DFT交换相关泛函不足以描述以上库仑相互作用,导致轨道与轨道相互接近甚至重叠。 加U考虑了同一个原子上自旋相反的局域电子之间的库仑排斥,导致能级分裂,从而使得理论计算的带隙值...
加U考虑了同一个原子上自旋相反的局域电子之间的库仑排斥,导致能级分裂,从而使得理论计算的带隙值更加接近于实验值。 在实际应用中,U值通常是一个经验性参数,需要查找相关文献确定最适宜的U值。通常通过比较磁矩、磁基态、绝缘(半导)体系的磁转变温度和能带等信息,来判断U值是否合适。如果是自己预测的体系,建议尝试不...