DFT+U计算需要在输入文件INCAR中添加命令,其具体含义如下所示: LDAU= .TRUE.|.FALSE.#开启/关闭+U功能,默认值为.FALSE.; LDAUTYPE=1|2|4#+U的类型,默认值是2,2为Dudarev等提出的简化 LSDA+U方法; LMAXMIX =2/4/6#默认为2,加U计算时该值需大于轨道量子数,...
例如,对于Si、GaAs等简单的半导体材料,在LDA/GGA下的DFT给出的带隙远远偏小;对于Ge、InN等小带隙半导体,从LDA/GGA得到的是金属态,而实验上观测到的却是半导体,这就是所谓的DFT计算中的带隙问题。 DFT+U理论 在简单的固体理论中,固体中电子之间的静电相互作用被忽略,不会出现在哈密顿算符里。然而,在许多物质...
DFT+U计算需要在输入文件INCAR中添加命令,其具体含义如下所示: LDAU= .TRUE.|.FALSE.#开启/关闭+U功能,默认值为.FALSE.; LDAUTYPE=1|2|4#+U的类型,默认值是2,2为Dudarev等提出的简化 LSDA+U方法; LMAXMIX =2/4/6#默认为2,加U计算时该值需大于轨道量子数,对于含有d轨道或f轨道电子的体系需对应增加...
加U考虑了同一个原子上自旋相反的局域电子之间的库仑排斥,导致能级分裂,从而使得理论计算的带隙值更加接近于实验值。 在实际应用中,U值通常是一个经验性参数,需要查找相关文献确定最适宜的U值。通常通过比较磁矩、磁基态、绝缘(半导)体系的磁转变温度和能带等信息,来判断U值是否合适。如果是自己预测的体系,建议尝试不...
1.指的是d电子之间的相互作用 2.LDA和GGA都已经考虑了库伦作用,但是基于平均场的考虑,没有考虑很...
不可以,首先+U对带隙计算的改善来自于对GGA强相关作用描述差的改善,带隙变得更好只是加入了一个额外能量的副作用,其次给Si这样的主族元素+U,等着被审稿人骂吗。这里就引入一下metaGGA吧,metaGGA在GGA-PBE考虑电荷密度梯度的基础上,加入了动能密度项,在能量和能带计算上的精度更高,这里引入传说中的量子计算的...
npj: 准确计算能带带隙—WKM方法 使用普通平面波Kohn-Sham方程计算的密度泛函理论(DFT)时,通过理论计算得到的带隙往往会小于实际实验得到的带隙。一般而言,DFT+U可以通过调整U值、杂化密度泛函可以通过调整杂化比例,得到与实验相符的带隙,但是这些计算方法需要有经验依据来设定参...
Abinit教程-DFT+U计算 对于含过渡金属或稀土金属元素的材料,使用DFT+U的方法可以更好地计算局域态电子(d/f轨道),通过添加Hubbard-U参数,DFT+U方法可获得与实验比更准确的磁矩和能带带隙,abinit官网上有教程: https://docs.abinit.org/tutorial/dftu/
一般有4种方式确定U: 1.凑实验带隙。 2.凑杂化泛函(如HSE)或者GW计算带隙。 3.线性响应方法。★★★ 如果体系只有一个Hubbard site,而且盒子也比较大的情况,大体流程应该是这样的: (1) 计算一次SCF,然后保存该任务的电荷密度。 (2) 你需要指定响应势α,对于vasp设置LDAUTYPE=3的情形,原来的LDAUU就变成了...
但实际上+U后电子密度要发生驰豫,结构也会随着结构变形,其实没有原理保证+U绝对能够确保带隙增加。