美浦森半导体应时代所需及时推出紧凑型表面贴片封装-DFN8*8外形, 一经推出便 引来诸多应用客户的热切关注 目前 大功率表面贴片外形主流集中在TO-252(DPAK) TO-263(D2-PAK) 、DFN5*6 等外形上,但是由于封装本身尺寸及封装能力限制,新一代高效,小体积 产品需求的表面贴片外形现有封装很难以满足, DFN8*8外形封装...
图1、DFN8*8紧凑型表贴SiC二极管 产品的设计密度不断提高,凭借更小的封装体积与更强的性能,工程师可以在设计适配器,通信电源,PC电源及其他产品时使用。用它来代替Si二极管,可降低器件的损耗,降低器件的温升,减少损耗带来更高的效率,更低的工作温度带来更高的整机可靠性。 特点: · 表贴封装 · 封装高度仅有1m...
芯塔电子650V/60mΩ DFN8*8封装SiC MOSFET产品的凭借其较小的封装尺寸、优化的体积和空间占比、较高的封装散热能力等性能优势完美适配储能应用市场。 芯塔电子始终致力于成为全球领先的功率半导体解决方案的提供商,在全国产化方面身体力行,尤其在碳化硅产品国产化方面也成为一大成功典范,产品已经导入军工、新能源车、...
DFN封装是一种无引脚的封装形式,采用双边或方形扁平无铅封装,仅两侧有焊盘。DFN8表示焊盘数是8个,典型主体尺寸长度通常介于2-7mm,焊盘间距通常为0.5-0.95mm,特点是灵活性高,常用于集成电路芯片的封装。 DFN-8封装具有较小的封装尺寸。由于它是无引线封装,因此可以在相同封装面积下容纳更多的引脚,从而实现更高的集成...
DFN封装是一种无引脚的封装形式,采用先进的双边或方形扁平无铅封装,仅两侧有焊盘。DFN8表示焊盘数是8个,典型主体尺寸长度通常介于2-7mm,焊盘间距通常为0.5-0.95mm,特点是灵活性高。 SOP封装则是一种有引脚的封装形式,引脚从两侧引出,呈海鸥翼状(L形),SOP8表示引脚数为8。sop封装的材料有塑料和陶瓷两种。SOP封装...
封装/规格 DFN8*8 包装 编带 认证机构 东科 最小包装量 4000 数量 100000 封装 DFN8*8 批号 DK075G 输出功率 75W 可售卖地 北京;天津;河北;山西;内蒙古;辽宁;吉林;黑龙江;上海;江苏;浙江;安徽;福建;江西;山东;河南;湖北;湖南;广东;广西;海南;重庆;四川;贵州;云南;西藏;陕西;甘肃;青海;宁夏;...
面对应用端的迫切需求,广东场效应半导体在半导体芯片设计和封装工艺勇于创新,加大研发投入,精准研发新产品,目前着力于研发DFN-8封装超薄、超小体积封装形式的MOSFETs。
为了适应产品发展的需要,英菲智科技更新了芯片的设计,封装了新的上路触摸输入对应3路输出的DFN8封装的触摸芯片,体积更小的同时增加了外挂电容调节灵敏度的功能,客户可以根据不同的触摸介质采用不同的灵敏度电容匹配,极大的增大了产品应用的灵活性。芯片内部也更新了设计,在保持极低静态功耗(休眠状态下约7uA)的同时又...
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時科推出了一款名为SKGM18N65-N8的氮化镓MOS管,采用小体积封装DFN8*8。该MOS管具有650V的耐压能力,在常温下能够承受18A的电流,最大耗散功率为67.5W。最重要的是,在VGS=8V,ID=4A的条件下,其RDSON仅为120mΩ。 3、结论 通过采用時科的SKGM18N65-N8氮化镓MOS管,充电器可以实现瘦身设计。这款MOS管具有小体积...