美浦森半导体应时代所需及时推出紧凑型表面贴片封装-DFN8*8外形, 一经推出便 引来诸多应用客户的热切关注 目前 大功率表面贴片外形主流集中在TO-252(DPAK) TO-263(D2-PAK) 、DFN5*6 等外形上,但是由于封装本身尺寸及封装能力限制,新一代高效,小体积 产品需求的表面贴片外形现有封装很难以满足, DFN8*8外形封装...
芯塔电子650V/60mΩ DFN8*8封装SiC MOSFET产品的凭借其较小的封装尺寸、优化的体积和空间占比、较高的封装散热能力等性能优势完美适配储能应用市场。 芯塔电子始终致力于成为全球领先的功率半导体解决方案的提供商,在全国产化方面身体力行,尤其在碳化硅产品国产化方面也成为一大成功典范,产品已经导入军工、新能源车、...
DFN封装是一种无引脚的封装形式,采用先进的双边或方形扁平无铅封装,仅两侧有焊盘。DFN8表示焊盘数是8个,典型主体尺寸长度通常介于2-7mm,焊盘间距通常为0.5-0.95mm,特点是灵活性高。 SOP封装则是一种有引脚的封装形式,引脚从两侧引出,呈海鸥翼状(L形),SOP8表示引脚数为8。sop封装的材料有塑料和陶瓷两种。SOP封装...
DFN封装是一种无引脚的封装形式,采用先进的双边或方形扁平无铅封装,仅两侧有焊盘。DFN8表示焊盘数是8个,典型主体尺寸长度通常介于2-7mm,焊盘间距通常为0.5-0.95mm,特点是灵活性高。 SOP封装则是一种有引脚的封装形式,引脚从两侧引出,呈海鸥翼状(L形),SOP8表示引脚数为8。sop封装的材料有塑料和陶瓷两种。SOP封装...
時科推出了一款名为SKGM18N65-N8的氮化镓MOS管,采用小体积封装DFN8*8。该MOS管具有650V的耐压能力,在常温下能够承受18A的电流,最大耗散功率为67.5W。最重要的是,在VGS=8V,ID=4A的条件下,其RDSON仅为120mΩ。 3、结论 通过采用時科的SKGM18N65-N8氮化镓MOS管,充电器可以实现瘦身设计。这款MOS管具有小体积...
在网上找了很久没找到,自己就画了一个DFN8封装图,用的是LT5560芯片的资料画的 部分文件列表 文件名文件大小修改时间 LT5560.PcbLib453KB2015-05-07 17:09:02 立即下载 【关注视频号领20积分】【关注公众号立即送20积分】 相关下载 赴柳钢考察报告以及技术服务简介 ...
为了适应产品发展的需要,英菲智科技更新了芯片的设计,封装了新的上路触摸输入对应3路输出的DFN8封装的触摸芯片,体积更小的同时增加了外挂电容调节灵敏度的功能,客户可以根据不同的触摸介质采用不同的灵敏度电容匹配,极大的增大了产品应用的灵活性。芯片内部也更新了设计,在保持极低静态功耗(休眠状态下约7uA)的同时又...
目前QFN封装已成为市场上的主流芯片封装之一。 特别是QFN的8脚芯片,简称DFN8/WSON8/QFN8/MLF8/U-SON8 它具有SOIC功能,同时也具有QFN封装稳定的功能和良好的安装方式,体积更小,工作性能更好。 现在这款QFN8封装芯片也逐渐受到大多数电子制造商的青睐,特别是通信领域的电子制造商。
面对应用端的迫切需求,广东场效应半导体在半导体芯片设计和封装工艺勇于创新,加大研发投入,精准研发新产品,目前着力于研发DFN-8封装超薄、超小体积封装形式的MOSFETs。
芯众享针对USB PD快充推出了两款超薄封装的碳化硅二极管,助力高功率密度快充产品的开发。该两款器件参数均为650V耐压,Tc=155℃时连续正向电流为6A,封装分为DFN8*8和DFN5*6。几乎无反向开关损耗的特性,可显著提高系统能效,并提高功率密度,支持高频开关。同时高工作温度和正温度系数,可以方便并联使用,提升电流并降低...