封装 PDFN5*6-8L-B 批号 2022 数量 10000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -30C 最大工作温度 100C 最小电源电压 2.5V 最大电源电压 6.5V 长度 7.5mm 宽度 2.2mm 高度 1mm 产品特色 原厂原装 可售卖地 全国 型号 NP4614BQR 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具...
矽源特ChipSourceTek-CST3350M是DFN3*3-8L封装,20V,50A的双N-Mosfet。矽源特ChipSourceTek-CST3350M是BVDSS=20V,RDSON=3.2mΩ,ID=50A的双N沟道Mosfet。提供DFN3030-8L封装。在当今的电子技术领域，Mosfet（金属氧化物半导体场效应晶体管）已成为许多电子设备中不可或缺的关键元件。其中，矽源特ChipSourceTek-C...
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矽源特ChipSourceTek-CST15P06D是一款具有出色性能的P沟道快速切换MOSFET,它采用PDFN3*3-8L封装,具备60V、15A的高规格参数。这款MOSFET以其优秀的电气特性和可靠的品质,为众多同步降压转换器应用提供了理想的解决方案。 首先,矽源特ChipSourceTek-CST15P06D的电气性能十分出色。它拥有-60V的BVDSS(漏源击穿电压)和70...
ME6118A50N8AG 9百万 ME/微盟 DFN3*3-8(P=0.65) 全新原装 ￥0.5000元3000~-- 个 深圳市亿创微芯电子有限公司 1年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 ASDM30P35TD-V2.0 封装DFN3*3-8 负载开关 -30V 中低压MOSFET 安森德 ASDM30P35TD-V2.0 ...
矽源特ChipSourceTek-CST40N06D是PDFN3*3-8L封装,60V,40A的N-Mosfet。矽源特ChipSourceTek-CST40N06D是BVDSS=60V,RDSON=12mΩ,ID=40A的N沟道快速切换Mosfet。提供PDFN3333-8L封装。矽源特ChipSourceTek-CST40N06D是BVDSS=60V,RDSON=12mΩ,ID=40A的N沟道快速切换Mosfet。提供PDFN3333-8L封装。矽源特Chip...
商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 ASDM30N40TD、 安森德、 DFN3、 3、 8 商品图片 商品参数 品牌: 安森德 封装: DFN3*3-8 数量: 2016 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 1V 最大电源电压: 7.5V ...
封装: PDFN3*3-8L 批号: 2023 数量: 3800 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 5V 最大电源电压: 9V 长度: 7.6mm 宽度: 6.8mm 高度: 1.6mm 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变...
矽源特ChipSourceTek-CST80N03D是BVDSS=30V、RDSON=5.2mΩ、ID=80A的N沟道快速切换Mosfets,采用PDFN3333-8L封装。作为高单元密度沟槽N沟MOSFET,矽源特ChipSourceTek-CST80N03D在大多数同步降压转换器应用中表现出色,具有优异的RDSON和栅极电荷特性。它符合RoHS和绿色产品要求,并获得100%EAS保证和全功能可靠性批准。