封装 DFN-8 5*6 批号 18+ 数量 100000 FET类型 1 漏源电压(Vdss) 1 漏极电流(Id) 1 漏源导通电阻(RDS On) 1 栅源电压(Vgs) 1 栅极电荷(Qg) 1 反向恢复时间 1 最大耗散功率 1 配置类型 1 工作温度范围 1 安装类型 1 是否跨境货源 否 导电方式 增强型 种类 绝缘栅(MOSFE...
快递收件时间一般下午6点左右(所有的快递一天只有一班快递收件)对于发顺丰特别急的件我们也只能6点左右发出,如等不了的请另寻别家,我们不接急件!!! ◆电子元件售后服务:收货后应在七日内对本产品进行质量检测,对于没有进行测试治具焊接上报者如出现质量问题本公司一律不予受理!本店所出售的电子元件均不对买家的...
测试座:DFN8(5*6)-1.27 特点:采用U型顶针,接触更稳定 Enplas测试座深圳晶振测试仪器专用锁紧座 采购:DFN8烧录座 DFN8(6*5)-1.27翻盖探针IC测试座 *联系人: *手机: 公司名称: 邮箱: 您是从哪里找到我们的: *采购意向: *验证码: 跟此产品相关的产品/ Related Products ...
凯智通 DFN8-1.27(5*6)下压探针老化座,WSON8测试座 QFN8 5*6mm,座子外壳采用特殊的工程塑胶,强度硬、可以用于芯片烧录,老化,测试。 发布于 2022-05-27 09:32 科技 赞同添加评论 分享喜欢收藏申请转载 写下你的评论... 还没有评论,发表第一个评论吧 推荐阅读 超声波/电磁...
DFN8-1.27(5*6)下压探针老化座 产品简介 A、产品用途:老化座、测试座,对DFN8的IC芯片进行老化测试 B、适用封装:WSON\QFN\DFN8 引脚间距1.27mm C、测试座:WSON\QFN\DFN8(5*6)-1.27 D、特点:探针结构,接触稳定...
封装 DFN5X6-8L 批号 23+ 数量 50000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -30C 最大工作温度 130C 最小电源电压 2.5V 最大电源电压 8.5V 长度 6.6mm 宽度 8.1mm 高度 2.9mm 可售卖地 全国 型号 NCE30P30G PDF资料 集成电路(IC)-其他IC-NCE30P30G-NCE/新洁能-DFN5X6-...
封装 DFN-8 5*6 批号 NEW 数量 10000 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 2 N 沟道(非对称桥) 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 是否跨境出口专供货源 否 可售卖地 全国 用途 S/开关 型号 AOE6930 货号 AOE6930 还在为型号太多没办法询价烦恼吗?数量太少卖家...
品牌: AOS 封装: DFN-8 5*6 批号: 19+ 数量: 30000 FET类型: 1 漏源电压(Vdss): 1 漏极电流(Id): 1 漏源导通电阻(RDS On): 1 栅源电压(Vgs): 1 栅极电荷(Qg): 1 反向恢复时间: 1 最大耗散功率: 1 配置类型: 1 工作温度范围: 1 安装类型: 1 价格说明 价格:商品...
封装: DFN-8(5*6) 批号: 24 数量: 4000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 1.5V 最大电源电压: 8V 长度: 1mm 宽度: 7.8mm 高度: 1.6mm 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化...
低压选型 DFN5*..优势现货30V低压DFN5*6-8L封装供应型号如下:NCEB301G DFN5X6-8L 30V 20A 20W 20V 6.9mΩ 10.8mΩ NCEB301G DFN5X6-8L 30V 35A