封装 DFN-8 5*6 批号 18+ 数量 100000 FET类型 1 漏源电压(Vdss) 1 漏极电流(Id) 1 漏源导通电阻(RDS On) 1 栅源电压(Vgs) 1 栅极电荷(Qg) 1 反向恢复时间 1 最大耗散功率 1 配置类型 1 工作温度范围 1 安装类型 1 是否跨境货源 否 导电方式 增强型 种类 绝缘栅(MOSFE...
AON6210-VB是一款单N沟道MOSFET,采用DFN8(5X6)封装,适用于高功率和低压应用。该器件具有30V的漏源电压(VDS)、±20V的栅源电压(VGS)和1.7V的阈值电压(Vth)。在VGS为10V时,其导通电阻为1.8mΩ,支持最大160A的漏极电流(ID)。采用Trench技术制造,具备极低的导通电阻和优异的热特性,适合需要高效能和高功率的应...
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AON6210-VB是一款单N沟道MOSFET,采用DFN8(5X6)封装,适用于高功率和低压应用。该器件具有30V的漏源电压(VDS)、±20V的栅源电压(VGS)和1.7V的阈值电压(Vth)。在VGS为10V时,其导通电阻为1.8mΩ,支持最大160A的漏极电流(ID)。采用Trench技术制造,具备极低的导通电阻和优异的热特性,适合需要高效能和高功率的应...
40N06-VB 是一款高性能的单 N 沟道场效应管,采用 DFN8(5X6) 封装,适用于对空间有限的应用。具有优秀的热性能和可靠性,适用于各种严苛的环境。具有 60V 的漏极-源极电压(VDS)和±20V 的栅极-源极电压(VGS),在不同工作条件下提供稳健的性能。该器件具有低的栅极阈值电压(Vth)为 2.5V,确保在低电压电路中...
封装 DFN5X6-8L 批号 23+ 数量 50000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -30C 最大工作温度 130C 最小电源电压 2.5V 最大电源电压 8.5V 长度 6.6mm 宽度 8.1mm 高度 2.9mm 可售卖地 全国 型号 NCE30P30G PDF资料 集成电路(IC)-其他IC-NCE30P30G-NCE/新洁能-DFN5X6-...
封装: DFN8(5X6) 包装方式: 编带 数量: 99999 芯片: 台积电 工艺: 长电封测代工 安装方式: 表面贴片 产品保证: 原装 批号: 24+ FET类型: 增强型 产地: 中国 可售卖地: 全国 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或...
封装 DFN-8 5*6 批号 19+ 数量 30000 FET类型 1 漏源电压(Vdss) 1 漏极电流(Id) 1 漏源导通电阻(RDS On) 1 栅源电压(Vgs) 1 栅极电荷(Qg) 1 反向恢复时间 1 最大耗散功率 1 配置类型 1 工作温度范围 1 安装类型 1 可售卖地 全国 型号 AON6532P 还在为型号太多没办法...
### 二、AON6710-VB 详细参数说明 - **封装类型**: DFN8(5X6) - **配置**: 单N沟道 - **漏源电压 (VDS)**: 30V - **栅源电压 (VGS)**: ±20V - **阈值电压 (Vth)**: 1.7V - **导通电阻 (RDS(ON))**: - 5mΩ @ VGS = 4.5V ...
AON6508-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用先进的Trench技术制造,封装为DFN8(5X6)。该器件具有高电流承载能力和极低的导通电阻,适用于高效电源管理和开关应用。AON6508-VB的设计确保其在高功率密度和高频操作条件下的可靠性,使其成为现代电子设备中的理想选择。