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封装 PDFN3X3-8L 电压VDS ±40V RDS(ON) 17mΩ(N-CH)、45mΩ(P-CH) 结温TJ -55~150℃ VGS ±20V 数量 6502000 批号 新年份 可售卖地 全国 类型 N+P沟道MOS管 型号 10G04 无线充MOS管10G04的产品特点: 1、N-CH:VDS=40VID=9.8ARDS(ON)<17mΩ@VGS=10V2、P-CH:VDS=-40VID...
封装 DFN3*3-8L 批号 23+ 数量 312652 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -20C 最大工作温度 90C 最小电源电压 4.5V 最大电源电压 9V 长度 3.9mm 宽度 1.8mm 高度 1mm 可售卖地 全国 型号 G45P02D3 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动...
新洁能 NCE30P30G -30V/-30A PDFN5x6-8L 场效应管 MOS管 负载开关 ¥ 0.10 商品描述 价格说明 联系我们 咨询底价 品牌: 华羿微 封装/规格: PDFN3x3-8L 漏源电压: 30V 连续漏极电流: 30A 功率: 详情咨询客服 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 详情咨询客服 阈值电压(Vgs(th)@Id...
封装: DFN3X3-8L 批号: 24+ 数量: 20000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 2V 最大电源电压: 7.5V 长度: 5.8mm 宽度: 2.6mm 高度: 2.5mm 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变...
smd transistor G16P03D3 DFN3X3-8L -30V -16A P channel Field Effect mosfet Part Number G16P03D3 VDSS -30V ID -16A RDS 11.5mΩ @ vgs=4.5V Vth -1.5V Package DFN3*3 Ciss 1995 pF Crss 260 pF Datasheet You may like For more products details,...
封装 TDFN3.3X3.3-8L 批号 21+ 数量 33000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -10C 最大工作温度 90C 最小电源电压 3V 最大电源电压 8.5V 长度 4.1mm 宽度 8.2mm 高度 1.9mm 可售卖地 全国 型号 LT7440FN Leading technology semiconductor(LT)成立于2010年,总部设立于美国,...
SI7106DN-T1-GE3-VB 99999 VBsemi/微碧半导体 DFN8(3X3) 24+ ￥3.6000元1~-- PCS 深圳市微碧半导体有限公司 2年 查看下载 立即订购 查看电话 QQ联系 HM85N03N N沟道 30V85A MOS场效应管 DFN3*3 HM85N03N 100000 HKZ DFN5*6 新年份 ...
捷捷微 JMGQ065V04A PDFN3.3X3.3-8L 2021+价格 ¥ 2.00 ¥ 1.90 ¥ 1.80 起订数 4000个起批 8000个起批 16000个起批 发货地 广东深圳 咨询底价 产品服务 热门商品 精工S-8261AAGMD-G2G-T2 SII 2021+ ¥ 1.80 LT2002EFO 电子元器件 领泰 封装TDFN3X3-8L 批号2021+ ¥ 1.80 VSO025...
Field Effect Mosfet G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A P Channel SMD Power Transistor, Find Details and Price about Power Transistor Field Effect Mosfet from Field Effect Mosfet G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A P Channel SMD Power Transistor - Wuxi Goford...