封装 DFN-8 3x3 批号 18+ 数量 100000 FET类型 1 漏源电压(Vdss) 1 漏极电流(Id) 1 漏源导通电阻(RDS On) 1 栅源电压(Vgs) 1 栅极电荷(Qg) 1 反向恢复时间 1 最大耗散功率 1 配置类型 1 工作温度范围 1 安装类型 1 可售卖地 全国 型号 AON7534 还在为型号太多没办法询...
封装 DFN8-3X3 批号 2022 数量 100000 输入电压 4.5V-42V 连续输出电流 1.0A 开关频率 700K 售后 售后无忧 特色服务 优势供应 可售卖地 全国 型号 RY1352D8 技术参数 品牌: 蕊源 型号: RY1352D8 封装: DFN8-3X3 批号: 2022 数量: 100000 输入电压: 4.5V-42V 连续输出电流: 1.0A 开关频...
深圳昱灿电子有限公司 电话:0755-27933516 联系人:石先生/谭小姐/李先生 地址:深圳市宝安区79区宝民二路好运来商务大厦B座 E-mail:sz.shi@163.com 网址:www.szyucan.com 您现在的位置:首页»产品中心»MOS系列产品»单Nmos»单Nmos(DFN3x3-8) ...
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- 封装: DFN8(3X3) 应用简介:VBsemi的RU30L30M-VB是一款P—Channel沟道场效应晶体管,适用于负电压、大电流的应用场景,广泛应用于各种电源系统和功率模块,提供高效的功率控制和开关性能。 **主要特点:**1. 适用于负电压环境,额定电压为-30V。2. 高额定电流,适用于大功率应用,额定电流为-45A。3. 低导通电阻...
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封装 DFN3X3-8 批号 2020+ 数量 21144 FET类型 单N沟道 漏源电压(Vdss) 30 漏极电流(Id) 47 漏源导通电阻(RDS On) 7.4 栅源电压(Vgs) 20 栅极电荷(Qg) 19.2 反向恢复时间 2.2 最大耗散功率 47 配置类型 增强型 工作温度范围 -50°~150° 安装类型 贴片 应用领域 家用电器 可...
HM4051HDR 采用DFN3X3-8封装 高耐压单节线性1.2A防反接锂离子电池充电芯片 描述 HM4051HDR 是一款完整的单节锂离子电池采用恒定电流/恒定电压线性充电器.其底部 带有散热片的 DFN8 封装与较少的外部元件数目使得 HM4051HDR 成为便携式应用的理想 选择.HM4051HDR 可以适合 USB 电源和适配器电源工作. 由于采用了...
封装: DFN-8(3x3) 原装正品: 2年内 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形式标注的抢购价等价格...
封装/规格: DFN8(3X3) 包装: 编带 最小包装量: 2500 产品特性: 大功率 封装: DFN8(3X3) 包装方式: 编带 数量: 10000 芯片: 台积电 工艺: 长电封测代工 安装方式: 表面贴片 产品保证: 原装 批号: 23+ FET类型: 增强型 产地: 中国 可售卖地: 全国 价格说明 价格:商品在...