封装 DFN8-3X3 批号 2022 数量 100000 输入电压 4.5V-42V 连续输出电流 1.0A 开关频率 700K 售后 售后无忧 特色服务 优势供应 可售卖地 全国 型号 RY1352D8 技术参数 品牌: 蕊源 型号: RY1352D8 封装: DFN8-3X3 批号: 2022 数量: 100000 输入电压: 4.5V-42V 连续输出电流: 1.0A 开关频...
BSZ160N10NS3 G-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用先进的沟槽技术,封装为DFN8(3x3)。该器件具有极低的导通电阻和高漏极电流能力,适用于需要高效率和高开关速度的应用。最大漏源电压为100V,栅源电压为±20V,导通电阻为10mΩ(在VGS=10V时)。其最大连续漏极电流为50A,使其非常适合用于高功率应用,如电源管理...
AON7202-VB是一款单N沟道MOSFET,采用DFN8(3X3)封装。该器件设计用于高性能电源管理和电流控制应用,具有优异的导通特性和热稳定性。其主要特点包括30V的漏源电压(VDS)、±20V的栅源电压(VGS)和1.7V的阈值电压(Vth)。在VGS为10V时,其导通电阻仅为3.9mΩ,支持最大60A的漏极电流(ID)。采用Trench技术制造,适用于需...
封装 DFN-8 3x3 批号 18+ 数量 100000 FET类型 1 漏源电压(Vdss) 1 漏极电流(Id) 1 漏源导通电阻(RDS On) 1 栅源电压(Vgs) 1 栅极电荷(Qg) 1 反向恢复时间 1 最大耗散功率 1 配置类型 1 工作温度范围 1 安装类型 1 可售卖地 全国 型号 AON7534 还在为型号太多没办法询...
8LSON-CLIP-8_EPMLP8_3.3X3.3MMMPT3MicroFET6_2X2MM_EPMicrofoot4PDFN3x3PDFN5060PDFN8L_3X3MMPDFN8L_5X6MMPDFN8_3.2X3.2MMPDFN8_3.3X3.3MMPDFN8_3X3MMPDFN8_5.2X5.86MMPDFN8_5.8X5.1MMPDFN8_5X6MMPDFN8_6X5MMPG-TDSON-8_5.075X5.9MMPG-TDSON-8_5.15X5.9MMPG-TDSON8_5.15X5.9MMPG-TDSON8_...
**8001H-VB** 是一款由 VBsemi 提供的单通道 N 型 MOSFET,采用 DFN8(3X3) 封装。它具有低导通电阻和高电流承载能力,适合于低电压高功率的电子应用。 ### 详细参数说明 - **封装类型**: DFN8(3X3) - **配置**: 单通道 N 型 - **击穿电压 (VDS)**: 30V ...
VBsemi 8005H-VB 是一款低压单N沟道MOSFET,采用DFN8(3X3)封装。该器件通过Trench技术设计,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于需要高效能和紧凑封装的电源管理和开关应用。 ### 二、详细参数说明 | 参数 | 数值 | |---|---| | 封装类型 | DFN8(3X3) | | 配置 | 单N沟道 | | ...
封装/规格: DFN8(3X3) 包装: 编带 最小包装量: 2500 产品特性: 大功率 封装: DFN8(3X3) 包装方式: 编带 数量: 99999 芯片: 台积电 工艺: 长电封测代工 安装方式: 表面贴片 产品保证: 原装 批号: 24+ FET类型: 增强型 产地: 中国 可售卖地: 全国 价格说明 价格:商品在平台的...
封装: DFN8(3X3) 包装方式: 编带 数量: 99999 芯片: 台积电 工艺: 长电封测代工 安装方式: 表面贴片 产品保证: 原装 批号: 24+ FET类型: 增强型 产地: 中国 可售卖地: 全国 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或...
AON7401-VB是一款单P沟道MOSFET,采用DFN8(3X3)封装。该器件设计用于电源管理和电流控制应用,具有优秀的导通特性和热稳定性。其主要特点包括-30V的漏源电压(VDS)、±20V的栅源电压(VGS)和-2.5V的阈值电压(Vth)。在VGS为10V时,其导通电阻仅为11mΩ,支持最大-45A的漏极电流(ID)。采用Trench技术制造,适用于需要...