MOS管型号:HG021N10L-A参数:100V25A(25N10)内阻:25mR(VGS=10V)结电容:839pF类型:SGT工艺NMOS开启电压:1.4V封装:TO-252 【惠海MOS管常规封装】SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等【惠海MOS管常规型号】17N06 30N06 50N06 70N03 50N03 30N03 5N10 10N10 17N10 25N10 3400【惠...
RY30P30D3 DFN3*3封装, 快充优势MOS管 RY30P30D3 是一款 P沟道 MOSFET,具有 30V 的耐压和 30A 的电流能力。MOSFET(场效应晶体管)在快充技术中起着至关重要的作用,尤其在电源管理和高效能量转换方面。以下是 RY30P30D3 在快充应用中的一些具体用途和优势: ### 1. **充电器电路中的开关元件** 在快充电路...
封装 DFN3*3 批号 2020+ 数量 1000000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -40C 最大工作温度 130C 最小电源电压 3.5V 最大电源电压 9.5V 长度 5.7mm 宽度 2.7mm 高度 2.9mm 可售卖地 全国 型号 AD30K35D3 双NMOS,耐压30V,用于1A1C接口 AD30K35D3,耐压30V,导阻9.4mΩ。
森国科推出了一款PDFN3*3超小封装的650V耐压碳化硅二极管KS06065-F,具有极低热阻,支持200W以上快充应用,单颗即可满足USB PD3.1 240W快充电源设计要求。 森国科于2013年11月成立,2016年11月获得国家高新科技企业称号,2020年3月量产出货1200V耐压,20A的碳化硅二极管,迈出第三代半导体功率器件国产替代的脚步。 森国...
高新技术企业 产品详情 100V小封装DFN3*3小体积mos 抖频过认证EMC&EMI:0 产品详情 型号HC3039D品牌惠新晨 封装DFN3*3耐压30V 开启电压1.8V结电容-- 电流25A内阻Rdson@4.5V20mR 内阻Rdson@10V13mR
30V60V100V..惠海直销30V 60V 100V mos管SOT23封装 TO-252 SOP-8 DFN3*3封装mos管【低开启低结电容】惠海半导体专业从事DC-DC中低压30-150V MOS管的设计、研发、生
本实用新型涉及电子封装领域,更具体地说它涉及一种DFN封装。 现阶段MOS管封装内阻相对较高,散热差。利用新型的超薄DFN封装结构可以大大降低内阻,散热性能得到大幅度提升,应用领域更为广泛。 该现有技术主要通过与外界的环境接触进行散热,但是该现有技术的散热结构与外界接触的面积有限因此散热性能较为一般。
矽源特ChipSourceTek-CST80N03D采用PDFN3333-8L封装，这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度，能够满足各种应用场景的需求。此外，它的引脚配置简洁明了，便于在电路中进行连接和调试。总之，矽源特ChipSourceTek-CST80N03D是一款高性能、高可靠性的N沟道快速切换Mosfet，适用于各种需要高效率和稳定性的电源系统。...
*联系信息: 咨询问题: 产品价格 产品型号 是否现货 代理加盟 *图形验证: 发送询价单 询价产品: JCW15B03E 30V/15A MOS管双N管 DFN3*3封装 *联系信息: 产品信息 联系方式 JCW15B03E 30V/15A MOS管双N管 DFN3*3封装 联系方式 陈先生 会员到期 会员到期 广东深圳市龙岗区盛宝路日塑工业城A栋401室...
矽源特ChipSourceTek-CST80N03D是BVDSS=30V、RDSON=5.2mΩ、ID=80A的N沟道快速切换Mosfets，采用PDFN3333-8L封装。作为高单元密度沟槽N沟MOSFET，矽源特ChipSourceTek-CST80N03D在大多数同步降压转换器应用中表现出色，具有优异的RDSON和栅极电荷特性。它符合RoHS和绿色产品要求，并获得100%EAS保证和全功能可靠性...