封装 PDFN3*3-8L 批号 2022 数量 45000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -10C 最大工作温度 130C 最小电源电压 2V 最大电源电压 6V 长度 8.6mm 宽度 3.8mm 高度 1.8mm 质量 原装正品 可售卖地 全国 型号 NP4886QR 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格...
3*3是外型的尺寸，DFN是元件的封装形式。
小封装低压MOS管 ..NCE3065Q DFN3*3 全新原装N沟道30V/65A应用扫地机手持吸尘器驱动NCE3020Q 工业级 Trench Production DFN3*3 N 30 20 1.5 7.6 11.5
最后,矽源特ChipSourceTek-CST4886D的封装形式为PDFN3*3-8L,提供了紧凑的封装尺寸和方便的引脚配置。这种封装形式使得矽源特ChipSourceTek-CST4886D在电路设计和布局方面更加灵活和方便。 综上所述,矽源特ChipSourceTek-CST4886D是一款高性能、高可靠性的双N-Mosfet,具有出色的电气特性、先进的结构和环保特性。其...
封装形式: DFN3*3-8L 环保类别: 无铅环保型 安装方式: 贴片式 包装方式: 卷带编带包装 发布询价信息 相关产品 场效应MOS管si3012 TO-252封装 30V/120A N沟道 榨汁杯方案专用 MOS场效应管Si1110带ESD保护 TO-252封装 100V/18A 应用于多串锂电保护板方案 ...
矽源特ChipSourceTek-CST3350M是DFN3*3-8L封装,20V,50A的双N-Mosfet。矽源特ChipSourceTek-CST3350M是BVDSS=20V,RDSON=3.2mΩ,ID=50A的双N沟道Mosfet。提供DFN3030-8L封装。在当今的电子技术领域，Mosfet（金属氧化物半导体场效应晶体管）已成为许多电子设备中不可或缺的关键元件。其中，矽源特ChipSourceTek-...
矽源特ChipSourceTek-CST30P02D是PDFN3*3-8L封装,20V,30A的P-Mosfet。矽源特ChipSourceTek-CST30P02D是BVDSS=-20V,RDSON=10mΩ,ID=-30A的P沟道快速切换Mosfet。提供PDFN3333-8L封装。 矽源特ChipSourceTek-CST30P02D是BVDSS=-20V,RDSON=10mΩ,ID=-30A的P沟道快速切换Mosfet。提供PDFN3333-8L封装。
矽源特ChipSourceTek-CST15P06D是一款具有出色性能的P沟道快速切换MOSFET,它采用PDFN3*3-8L封装,具备60V、15A的高规格参数。这款MOSFET以其优秀的电气特性和可靠的品质,为众多同步降压转换器应用提供了理想的解决方案。 首先,矽源特ChipSourceTek-CST15P06D的电气性能十分出色。它拥有-60V的BVDSS(漏源击穿电压)和70...
封装: PDFN3*3-8L 批号: 22+ 数量: 68800 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 3.5V 最大电源电压: 9.5V 长度: 6.9mm 宽度: 1.5mm 高度: 1.3mm 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动...