型号:HC3600M 08N03参数:30V 8A 类型:N沟道场效应管内阻16mR低结电容445pF 封装:SOT23-3开启电压1.3V SOT23-3封装、SOT223封装、SOP8封装、TO-252封装、DFN封装30V大电流系列:3400、3404、2301、2300、9926、30N03、20N03、50N03、70N03、100N03、110N0360V大电流系列:5N06、10N06、20N06、25N06、30...
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森国科推出了一款PDFN3*3超小封装的650V耐压碳化硅二极管KS06065-F,具有极低热阻,支持200W以上快充应用,单颗即可满足USB PD3.1 240W快充电源设计要求。 森国科于2013年11月成立,2016年11月获得国家高新科技企业称号,2020年3月量产出货1200V耐压,20A的碳化硅二极管,迈出第三代半导体功率器件国产替代的脚步。 森国...
30P03 P沟道MOS管DFN3*3系列 50P03 60P03 30A-60A 30V DFN3X3 深圳市福田区华富浩瀚泰电子商行9年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.56成交1000PCS NCE3025Q DFN3x3 N沟道MOS场效应管新洁能原装现货 深圳市通盛时代科技有限公司10年 ...
DFN5*6 DFN3*3 MOS管封装形式 本文主要是讲述DFN5*6 DFN3*3 MOS管封装详情及型号,如有需要请联系我们,我们将竭诚为您服务。MOSFET芯片在制作完成之后,需要给MOSFET芯片加上一个外壳,即MOS管封装。MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用,同时还为芯片提供电气连接和隔离,以便MOSFET器件与其它元件构成完整的...
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HY12P03C1 DFN3*3封装 -30V/-30A MOS管P沟道 原装正品 HY12P03C1 100000 YH/华羿微电 DFN3*3 2023 ￥0.6000元10~-- 件 深圳市圳科科技有限公司 5年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 NP/南麟 NP4886QR 双N 40V超低内阻 封装PDFN3*3-8L ...
高新技术企业 产品详情 100V小封装DFN3*3小体积mos 抖频过认证EMC&EMI:0 产品详情 型号HC3039D品牌惠新晨 封装DFN3*3耐压30V 开启电压1.8V结电容-- 电流25A内阻Rdson@4.5V20mR 内阻Rdson@10V13mR
这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被**成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。
高新技术企业 产品详情 惠海半导体100V30A耐压DFN3*3小体积小封装mos管散热超强 抖频过认证EMC&EMI:0 产品详情 型号HC1006D品牌惠海 封装DFN3*3类型NMOS 耐压100V开启电压1.8V 结电容--电流30A 内阻Rdson@4.5V25mR内阻Rdson@10V20mR