一,丝印说明 DFN3.3X3.3 产品信息表(封装厂 A) 二,外形尺寸 三,载带图纸 四,包装数量 包装方式 包装尺寸 编带 13寸卷盘 包装数量(箱) 5000 只*5盒=25000 只一,丝印说明 DFN3.3X3.3 产品信息表(封装厂 B) 二,外形尺寸 三,载带图纸 四,包装数量 包装方式 编带 包装尺寸 13寸 包装数量(箱) 5000只*...
MOS管一般是以上下两个组成一组的形式出现板卡上。 DFN封装 DFN/QFN是一种最新的的电子封装工艺,ON Semiconductor公司的各种元器件都采用了先进的双边或方形扁平无铅封装(DFN/QFN)。 DFN/QFN平台是最新的表面贴装封装技术。印刷电路板(PCB)的安装垫、阻焊层和模版样式设计以及组装过程,都需要遵循相应的原则。 DFN/...
利用新型的超薄DFN封装结构可以大大降低内阻,散热性能得到大幅度提升,应用领域更为广泛。 该现有技术主要通过与外界的环境接触进行散热,但是该现有技术的散热结构与外界接触的面积有限因此散热性能较为一般。 DFN5*6封装尺寸外观图
TO-252(也称为DPAK)封装相对较大,尺寸为6.5×9.5毫米,具有更高的功率承受能力,适合较高功率的应用。 散热性能: DFN3×3封装的散热性能通常较差,因为它没有明确的引脚或导热板。这可能限制了在高功率应用中的使用。 TO-252封装具有金属背板,可提供较好的散热性能,使其适用于高功率和高温应用。 引脚结构: DFN3...
蓝箭电子推出的TO-263塑封封装N沟道MOS场效应管BRB80N08A,具有低栅电荷,低反馈电容,开关速度快的特征。该器件适用于高功率DC/DC转换和功率开关,其VDSS值80V。 2023-05-06 - 产品 代理服务 技术支持 批量订货 【产品】蓝箭电子推出的无卤N沟道MOS场效应管BRCS080N04YB,规格为40V/45A 蓝箭电子N沟道MOS场...
3mm DFN封装 DESCRIPTIO 此外,LTC 3428是一个两相,电流模式升压转换 变流器,能够在5V电压为3.3V输入提供2A 。 两个93mΩ , 2A N沟道MOSFET开关使 从输入电压为LTC3428提供高效率 低至1.6V 。 外部元件数量及规模由1MHz的最小化 开关频率和2相的设计。两相 ...
表面贴片封装 电阻器 - 基底(R1) 标准 电阻器 - 发射极基底(R2) 标准 FET 类型 标准 FET 功能 标准 漏源电压(Vdss) 标准 电流- 连续漏极(Id)(25°C 时) 标准 不同Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 标准 不同Id 时的 Vgs(th)(最大值) 标准 不同Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 标准 不同Vds...
森国科KS06065F碳化硅二极管与一元硬币尺寸对比。 使用游标卡尺实测二极管长度为2.85mm。 使用游标卡尺实测二极管宽度为2.94mm。 使用游标卡尺实测二极管厚度为0.8mm。 充电头网总结 森国科推出的PDFN3*3封装的碳化硅二极管具有极小的体积和优秀的散热能力,并支持高工作温度,非常适合高功率密度的氮化镓快充应用。小封装...
B、适用封装:WSON\QFN\DFN8引脚间距0.5mm C、测试座:WSON\QFN\DFN8(3*3)-0.5 D、特点:采用U型顶针,接触稳定,性能更稳定 E、座子外壳采用特殊的工程塑胶,强度高、寿命长(翻盖结构20000次) F、我司可提供规格书(布板图)资料,PDF档\CAD DFN6测试座DFN芯片编程座IC测试座工厂WSON测试座 ...
尺寸3 x 3 x 0.95mm 封装类型DFN 负荷调节1 % 高度0.95mm 精确度2% 静态电流220μA 宽度3mm 输出电压3 V 输出类型固定 输出数目1 线路调节0.16 %/V 引脚数目8 最大输出电流1.5A 最大输入电压6 V 最低工作温度-40°C 最高工作温度+125 °C ...