tCCD_S指的是不同bank group地址延迟时间，tCCD_L指的是相同bank group列地址延迟时间。
例如tCCD,列到列的等待时间,例如两笔读操作之间的时间,如果是相同的Bank Group,该时间标注为tCCD_L(6 clock),而如果是不同的Bank Group,则标注为tCCD_S(4 clock)。如果BL8需要4clock传输8笔数据,连续读操作对于不同的Bank Group就刚好达到16n预取性能。但如果是相同的Bank Group,则每向外吐8笔数据,要停4笔...
例如tCCD,列到列的等待时间,例如两笔读操作之间的时间,如果是相同的Bank Group,该时间标注为tCCD_L(6 clock),而如果是不同的Bank Group,则标注为tCCD_S(4 clock)。如果BL8需要4clock传输8笔数据,连续读操作对于不同的Bank Group就刚好达到16n预取性能。但如果是相同的Bank Group,则每向外吐8笔数据,要停4...
ECS,error的检测与scrub,修复? 二、时序 tRP,预充电命令的执行周期,预充电与下一个ACT的间隔,这里的预充电指的是开始内部预充电操作的起点; tRAS, tPPD, 相邻两个预充电命令的间隔; tCCD, 两次读写间的间隔; tRRD_S,不同BG间的ACT间隔; tRRD_L, 同一个BG内的ACT间隔; tFAW, four activate window?这个...
GIO 线的马赛克交错和共享利用了保证读到读和写到写时序规范 (tCCD_L) 的精确时序。物理存储体作为逻辑存储体进行划分和访问,tCCD_L 特性用于指示时序。 提高速度并减少干扰 要在如此高的速度下保持数据准确,需要额外的逻辑来实现所谓的决策反馈均衡 (DFE)。高速数字并不是低速情况下简单的“开/关”电压转换。信...
GIO 线的“马赛克”交错和共享利用了保证读到读和写到写时序规范 (tCCD_L) 的精确时序。物理存储体作为逻辑存储体进行划分和访问,tCCD_L 特性用于指示时序。 提高速度并减少干扰 要在如此高的速度下保持数据准确,需要额外的逻辑来实现所谓的决策反馈均衡 (DFE)。高速数字并不是低速情况下简单的“开/关”电压转换...
GIO 线的“马赛克”交错和共享利用了保证读到读和写到写时序规范 (tCCD_L) 的精确时序。物理存储体作为逻辑存储体进行划分和访问,tCCD_L 特性用于指示时序。 提高速度并减少干扰 要在如此高的速度下保持数据准确,需要额外的逻辑来实现所谓的决策反馈均衡 (DFE)。高速数字并不是低速情况下简单的“开/关”电压转换...
例如tCCD,列到列的等待时间,例如两笔读操作之间的时间,如果是相同的Bank Group,该时间标注为tCCD_L(6 clock),而如果是不同的Bank Group,则标注为tCCD_S(4 clock)。如果BL8需要4clock传输8笔数据,连续读操作对于不同的Bank Group就刚好达到16n预取性能。但如果是相同的Bank Group,则每向外吐8笔数据,要停4...
GIO 线的“马赛克”交错和共享利用了保证读到读和写到写时序规范 (tCCD_L) 的精确时序。物理存储体作为逻辑存储体进行划分和访问,tCCD_L 特性用于指示时序。 提高速度并减少干扰 要在如此高的速度下保持数据准确,需要额外的逻辑来实现所谓的决策反馈均衡 (DFE)。高速数字并不是低速情况下简单的“开/关”电压转换...
The only difference is EXPO has some extra values tCCD, tRRD, tWTR, tRTP, tFAW and tCCDW if the vendor chooses to include them in the EXPO profile. Otherwise the motherboard just picks i t instead like XMP. In theory EXPO would be better for both AMD and Intel, but usually those ...