内存时序由CL、tRCD、tRP和tRAS四个参数组成，依次为CAS Latency（CL）、RAS to CAS Delay（tRCD）、RAS Precharge Time（tRP）和RAS Active Time（tRAS）。这些代号均是缩写。其中，CL是描述内存列地址访问延迟时间的关键参数，对时序的影响最为显著。紧随其后的是tRCD，它指的是内存行地址传输至列地址所需的时...
CL（CAS Latency）：这一参数衡量的是列地址访问的延迟时间，在时序中占据核心地位。tRCD（RAS to CAS Delay）：它描述的是内存行地址传输至列地址所需的延迟。tRP（RAS Precharge Time）：此参数定义了内存行地址选通脉冲的预充电所需时间。tRAS（RAS Active Time）：这一指标反映了行地址被激活的持续时间。越低...
内存条的SPD中一般会有一组数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”,其中最重要的参数就是CL值。CL全称是 (Column Address Strobe Latency，一般缩写为CAS Latency，简写CL)。CAS意为列地址选通脉冲，CAS控制着从收到命令到执行命令的间隔时间。在内存阵列中分为行和列，当命令请求到达内存后，...
内存时序4个数字对应的参数分别为CL、tRCD、tRP、tRAS,单位都是时间周期,也就是一个没有单位的纯数字。 CL(CAS Latency):列地址访问的延迟时间,是时序中最重要的参数 tRCD(RAS to CAS Delay):内存行地址传输到列地址的延迟时间 tRP(RAS Precharge Time):内存行地址选通脉冲预充电时间 tRAS(RAS Active Time):...
这四个数字分别代表CL、tRCD、tRP和tRAS，它们都是时间周期单位，即纯数字无单位。具体来说，CL（CASLatency）表示列地址访问的延迟时间，它是时序中最为关键的参数。tRCD（RASto CAS Delay）则是指内存行地址传输到列地址所需的延迟。tRP（RASPrecharge Time）代表内存行地址选通脉冲的预充电时间，而tRAS（RAS...
【 性能参数对比和优势 】英睿达内存具备与顶尖产品相同的低延迟参数，在实际测试中显示更高的读写速度。 英睿达DDR5 4800采用美光原厂编号的DDR5内存颗粒，具备出色的自动设置频率和延迟功能。其CL、tRCD、tRP、tRAS四大关键延迟参数均达到40-39-39-76的优异水平。在AIDA64的内存读写测试中，英睿达DDR5 4800笔记本内存...
只需将内存VDDQ、VDD电压提升到1.53V的内存工作电压，将延迟放宽到38（CL）-50（tRCD）-50（tRP）-128（tRAS）@2T的延迟设置下，我们可以将这款内存超频到DDR5 8600完成各种性能测试。由于其速率相对于DDR5 6000提升了43%，那么在远远超越普通内存的DDR5 8600速率下，它又能带来怎样的内存性能呢？▲在普通散热...
当然它在DDR5 5200下的CL、tRCD、tRP、tRAS四大主要时序参数则放宽到40-40-40-76,这也显示出,美光颗粒在低电压下的体质其实不错,的确具备工作在DDR5 5000以上的能力。 芝奇Ripjaws S5焰刃DDR5 5200 32GB内存套装可以稳定地超频到DDR5 5600下,并通过半小时的AIDA64内存烤机测试。 由于采用的都是美光颗粒,所以我们...
其在DDR5 6000速率下的内存延迟均为36（CL）-38（tRCD）-38（tRP）-80（tRAS）-118（tRC）；在DDR5 6400下的内存延迟均为38（CL）-40（tRCD）-40（tRP）-84（tRAS）-118（tRC）。不论是在DDR5 6000还是DDR5 6400下工作，其内存工作电压均自动设置为1.35V。接下来我们特别搭建基于英特尔旗舰处理器：酷睿 ...
CL（CAS Latency）：列地址访问的延迟时间，是时序中最重要的参数 tRCD（RAS to CAS Delay）：内存行地址传输到列地址的延迟时间 tRP（RAS Precharge Time）：内存行地址选通脉冲预充电时间 tRAS（RAS Active Time）：行地址激活的时间 你不需要太详细的了解内存行地址传输、列地址访问这些名词具体代表什么，你只...