内存条的SPD中一般会有一组数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”,其中最重要的参数就是CL值。CL全称是 (Column Address Strobe Latency，一般缩写为CAS Latency，简写CL)。CAS意为列地址选通脉冲，CAS控制着从收到命令到执行命令的间隔时间。在内存阵列中分为行和列，当命令请求到达内存后，...
内存时序4个数字对应的参数分别为CL、tRCD、tRP、tRAS,单位都是时间周期,也就是一个没有单位的纯数字。 CL(CAS Latency):列地址访问的延迟时间,是时序中最重要的参数 tRCD(RAS to CAS Delay):内存行地址传输到列地址的延迟时间 tRP(RAS Precharge Time):内存行地址选通脉冲预充电时间 tRAS(RAS Active Time):...
时序中的四个数字分别对应着“CL-tRCD-tRP-tRAS”，有以下几个含义。CL（CAS Latency）：列地址访问的延迟时间，是时序中最重要的参数 tRCD（RAS to CAS Delay）：内存行地址传输到列地址的延迟时间 tRP（RAS Precharge Time）：内存行地址选通脉冲预充电时间 tRAS（RAS Active Time）：行地址激活的时间 你不需...
较低的tRCD 可以提高内存的读取效率 4. tRC: 行周期时间 连续两次内存操作之间的最小时间间隔.较短的tRC可以加快内存的连续读写速度 Precharge Command 1. tRP: 行预充电延迟 该参数的作用是衡量一个关闭的行再被打开所需要的时间. tRAS = 内存核心频率 × tRAS值...
当然它在DDR5 5200下的CL、tRCD、tRP、tRAS四大主要时序参数则放宽到40-40-40-76,这也显示出,美光颗粒在低电压下的体质其实不错,的确具备工作在DDR5 5000以上的能力。 芝奇Ripjaws S5焰刃DDR5 5200 32GB内存套装可以稳定地超频到DDR5 5600下,并通过半小时的AIDA64内存烤机测试。 由于采用的都是美光颗粒,所以我们...
tRCD(RAS to CAS Delay):内存行地址传输到列地址的延迟时间 tRP(RAS Precharge Time):内存行地址选通脉冲预充电时间 tRAS(RAS Active Time):行地址激活的时间 越低的时序代表颗粒体质越好,超频的潜力也就越大。内存的时序会随着频率的增加而增加,内存的延迟可以用这个公式来计算:内存延时=时序(CL x 2000 )/内...
tRCD-tRP:两者同值,XMP基础上单数递减,(例如45-6=39,或45-5=40,失败回调。) tRAS:如果tRCD/tRP压得低,tRAS的下限导致系统不稳定,适当提高此值, XMP基础上单数递减,建议在大于tRCD乘2.1至2.4倍。(一线品牌旗舰2.1,低端2.4) tRAS:是可以进一步压到tRCD的1.5倍,但需相应提高CL-tRCD,适用于堆料主板极限超频 ...
tRCD(RAS to CAS Delay):内存行地址传输到列地址的延迟时间 tRP(RAS Precharge Time):内存行地址选通脉冲预充电时间 tRAS(RAS Active Time):行地址激活的时间 越低的时序代表颗粒体质越好,超频的潜力也就越大。内存的时序会随着频率的增加而增加,内存的延迟可以用这个公式来计算:内存延时=时序(CL x 2000 )/内...
按照顺序分别为CL、tRCD、tRP、tRAS，这四个代号全是缩写，第一个CL，即CAS Latency，它描述的是内存列地址访问的延迟时间，这也是时序中最重要的参数；第二个tRCD，即RAS to CAS Delay，是指内存行地址传输到列地址的延迟时间；第三个tRP，即RAS Precharge Time，表示内存行地址选通脉冲预充电时间；第四个tRAS...
DDR5还是和DDR4一样,主要看看CL、tRCD、tRP、tRAS。而小参方面,依然可以延续“一壶茶、一包烟、几套小参玩一天”的时代。不过可能是因为DDR5频率过高,一些小参对于AIDA64跑分的影响不是很大,这个就等更专业的小伙伴来测试。我个人在超频上还是动的还是上述的几个参数。 ODT大法: 通过ODT大法可以降低CPU VDDQ和...