【tRCD】tRCD是行地址到列地址传输的延迟，描述了从内存行地址传输到列地址所需的时间。由于不易优化，其对性能的影响较不显著。选取合适的tRCD值有助于平衡系统性能与稳定性。【tRP】tRP是行地址选通脉冲的预充电时间，影响着行转换过程的效率。它指的是在内存行地址选通脉冲后，进行预充电所需的时间。【tRAS】...
BIOS中的可能其他描述: tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。数值越小,性能越好。 3、tRP(RAS Precharge Time): “内存行地址控制器预充电时间”(可能的选项:2/3/4) BIOS中的可能其他描述:tRP、RAS Precharge、Precharge to active。预充电参数越小则内存读写速度就越快。 4.tRAS(RAS Active Time)...
首先,内存参数cL-tRCD-tRP-tRAS。1、CL(CAS Latency):“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。2、tRCD(RAS-to-CAS Delay)“行寻址至列寻址延迟时间”3、tRP(RAS Precharge Time): “内存行地址控制器预充电时间”4、tRAS(RAS Active Time): “内存行有效至预充电的最短周期”5、CAS是Column Address ...
内存时序4个数字对应的参数分别为CL、tRCD、tRP、tRAS，单位都是时间周期，也就是一个没有单位的纯数字。CL（CAS Latency）：列地址访问的延迟时间，是时序中最重要的参数 tRCD（RAS to CAS Delay）：内存行地址传输到列地址的延迟时间 tRP（RAS Precharge Time）：内存行地址选通脉冲预充电时间 tRAS（RAS Active...
何况是最不重要的TRAS呢~首命令延迟是其中最重要的，就是 1T 2T那个选项，1T快 然后是CA tRCD tRP 最后才是tRAS 老内存的容量更应该值得你去考虑啊，一般也就512M或1G吧？上到2G 才会玩得动现在的普通应用 重要性：容量>双通道>首命令延迟>各项小参 以上为本人纯纯手打，多年超频经验积累的~~
此时tRCD=7 tRP=7 CL=7。 时钟周期是1.87ns因此CL=1.87*7=13.1ns。 tRCD指的是从... 酒酿小园子 1 15375 DDR工作原理 2012-09-01 00:22 − DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM,中文名为“双倍数据流SDRAM”。DDR SDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来。也正因为如此,DDR能够凭借着转产成本...
提高的话是降低了内存的性能，不会对使用寿命带来负面影响。一般用多根内存会降低性能配合最低性能的内存提高其稳定性。如果是降低这些数值以提高性能的话，最好不要那么做，不但不能达到预期效果，而且会缩短使用寿命。
比如我原来的内存参数为:CL为2.5,TRCD为3,TRP为3,TRAS为8.我只把TRAS改为6,速度是不是比之前的要快了.... 比如我原来的内存参数为:CL为2.5,TRCD为3,TRP为3,TRAS为8.我只把TRAS改为6,速度是不是比之前的要快了. 展开 zvriy 采纳率:45% 等级:8 已帮助:3213人 私信TA向TA提问 1个回答 srsyxplz...
网络时序 网络释义 1. 时序 ...Both需要分别对两组双通道进行设置,除前四个主要时序(CL-TRCD-TRP-TRAS)以及 第六个TRC,以及TRFC需要针对内 … www.pceva.com.cn|基于 1 个网页
这个时序的内存应该是ddr400的 这样该没用的具体要看频率 把频率超上去 比如你这个是pc2-3200 能超到6400的话时序应该是6 6 6 18 是