ODT （ On-DieTermination ，片内终结）ODT 也是 DDR2 相对于 DDR1 的关键技术突破，所谓的终结（端...
RTT_nom和RTT_wr间的切换和时序要求参见DDR3标准的5.3 dynamic ODT 一节,以及该节的Table 16 — Latencies and timing parameters relevant for Dynamic ODT。 在DDR3标准中“Controller sends WR command together with ODT asserted”. 如下图,2处为写命令,对应地ODT信号被拉起。5处为读命令,ODT为0,无效。1...
聊一聊DDR3中的ODT如下 只要DLL处于开启且是锁定状态,就处于同步ODT模式。当DLL处于关闭状态时,不可运用直接ODT(Direct ODT)功能。此时,必须通过连续置ODT引脚为低电平,并将RTT_Nom电阻值置为0(set MR1{A9,A6,A2} to {0,0,0} )。 在同步ODT模式下,RTT会在ODT被采样为高电平的那个时钟上升沿之后的ODTLo...
所以,使用ODT的目的很简单,是为了让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完,防止这些信号在电路上形成反射,进而增强信号完整性。用JESD79-3A的原话就是: The ODT feature is designed to improve signal integrity of the memory channel by allowing the DRAM controller to independently turn on/off termination...
1.1 ODT ODT是On Die Termination的缩写,又叫片内端接,顾名思义,就是将端接电阻放在了芯片内部,这个功能只有在DDR2以上的数据信号才有,其他信号无此宠幸!所谓的终结(端接),就是让信号被电路的终端吸收掉,而不会在电路上形成反射,造成对后面信号的影响有了这个功能,原本需要在PCB板上加串阻的数据信号就不用...
在同步ODT模式下,RTT会在ODT被采样为高电平的那个时钟上升沿之后的ODTLon个时钟周期被打开,同时,RTT会在ODT被寄存为低电平(采样并被寄存)之后的ODTLoff个时钟周期被关闭。其中,ODT的潜伏期(Latency)取决于写潜伏期(WL):ODTLon=WL-2;ODTLoff=WL-2;
ODT是On Die Termination的缩写,又叫片内端接,顾名思义,就是将端接电阻放在了芯片内部,这个功能只有在DDR2以上的数据信号才有,其他信号无此宠幸!有了这个功能,原本需要在PCB板上加串阻的数据信号就不用再额外添加端接了,因为芯片内部可以打开这个ODT端接功能,而且端接还可调,哈哈,确实有点任性。下面是ODT 的...
DDR之ODT_ddr3 std 大家好,又见面了,我是你们的朋友全栈君。 我们知道使用DDRSDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也...
ODT 片上终端使能 在正常操作使能时,ODT仅对:DQ[7:0]、DQS、DQS#和DM引脚有效。如果通过LOADMODE命令禁止,ODT输入被忽略。ODT的参考值是VREFCA。 ZQ# 外部校准 输出驱动校准的外部参考,这个引脚应该连接240欧姆电阻到VSSQ。 CS#,RAS#,CAS#和WE#可以构成命令组,它们将在时钟的上升沿被采用,在DDR手册中可以...
这个引脚通过一个命令集,通过片上校准引擎(On-Die Calibration Engine,ODCE)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后,将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期,在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。