1.1 ODT ODT是On Die Termination的缩写,又叫片内端接,顾名思义,就是将端接电阻放在了芯片内部,这个功能只有在DDR2以上的数据信号才有,其他信号无此宠幸!所谓的终结(端接),就是让信号被电路的终端吸收掉,而不会在电路上形成反射,造成对后面信号的影响有了这个功能,原本需要在PCB板上加串阻的数据信号就不用...
所以,使用ODT的目的很简单,是为了让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完,防止这些信号在电路上形成反射,进而增强信号完整性。用JESD79-3A的原话就是: The ODT feature is designed to improve signal integrity of the memory channel by allowing the DRAM controller to independently turn on/off termination...
ODT （ On-DieTermination ，片内终结）ODT 也是 DDR2 相对于 DDR1 的关键技术突破，所谓的终结（端...
在同步ODT模式下,RTT会在ODT被采样为高电平的那个时钟上升沿之后的ODTLon个时钟周期被打开,同时,RTT会在ODT被寄存为低电平(采样并被寄存)之后的ODTLoff个时钟周期被关闭。其中,ODT的潜伏期(Latency)取决于写潜伏期(WL):ODTLon=WL-2;ODTLoff=WL-2;
DDR之ODT_ddr3 std 大家好,又见面了,我是你们的朋友全栈君。 我们知道使用DDRSDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也...
ODT 片上终端使能 在正常操作使能时,ODT仅对:DQ[7:0]、DQS、DQS#和DM引脚有效。如果通过LOADMODE命令禁止,ODT输入被忽略。ODT的参考值是VREFCA。 ZQ# 外部校准 输出驱动校准的外部参考,这个引脚应该连接240欧姆电阻到VSSQ。 CS#,RAS#,CAS#和WE#可以构成命令组,它们将在时钟的上升沿被采用,在DDR手册中可以...
数据输入屏蔽,DM是写入数据的屏蔽信号,DM是写数据的输入屏蔽信号,在写数据期间,当伴随输入数据的DM信号采样为高时,输入数据被屏蔽。 12、ddr3_dm 管脚定义: output [0:0]ddr3_odt; 管脚说明: 片上终端使能,ODT使能(high)和禁用(low)片内终端电阻,在正常操作时仅对DQ、DQS、DM有效。
而DQ和DQS作了点到点的连接。VTT表示这些信号都接了ODT端接电阻。fly-by 结构相对于T布线,有助于降低同步切换噪声(Simultaneous Switching Noise)。 Write Leveling的功能是调整DRAM颗粒端DQS信号和CLK信号边沿对齐;调节过程描述:DDR控制器不停地调整DQS信号相对于CLK的延迟,DRAM芯片在每个DQS上升沿采样CLK管脚上的...
在同步ODT模式下,RTT会在ODT被采样为高电平的那个时钟上升沿之后的ODTLon个时钟周期被打开,同时,RTT会在ODT被寄存为低电平(采样并被寄存)之后的ODTLoff个时钟周期被关闭。其中,ODT的潜伏期(Latency)取决于写潜伏期(WL):ODTLon=WL-2;ODTLoff=WL-2;