RTT_WR是内存处在写状态时的端接电阻,这时内存颗粒是信号端接端,需要进行端接。至于读操作,读操作是颗粒作为输出,需要用到始端驱动,由于RTT终端匹配与始端驱动电阻不能同时使用,所以读操作时ODT必须关闭。 图7 ODT技术 2.3 ZQ校准-ZQ Calibration 校准控制模块由模数转换器(ADC)、比较器、多数滤波器、内部参考...
ODT 也是 DDR2 相对于 DDR1 的关键技术突破，所谓的终结（端接），就是让信号被电路的终端吸 收掉...
1.1 ODT ODT是On Die Termination的缩写,又叫片内端接,顾名思义,就是将端接电阻放在了芯片内部,这个功能只有在DDR2以上的数据信号才有,其他信号无此宠幸!所谓的终结(端接),就是让信号被电路的终端吸收掉,而不会在电路上形成反射,造成对后面信号的影响有了这个功能,原本需要在PCB板上加串阻的数据信号就不用...
1、控制总线ODT：该引脚用于使能或禁止片内终端电阻，即片上终端使能。ZQ：这是一个输出驱动较准的外部参考引脚，通常需要外接一个RZQ电阻到VSSQ，一般建议将其接到地。RESET：芯片复位引脚，低电平有效，用于重启芯片。CKE：时钟使能引脚，用于启用或禁用时钟信号。A12：作为地址引脚，A12也被称为BC引脚，它具有双...
而DQ和DQS作了点到点的连接。VTT表示这些信号都接了ODT端接电阻。fly-by 结构相对于T布线,有助于降低同步切换噪声(Simultaneous Switching Noise)。 Write Leveling的功能是调整DRAM颗粒端DQS信号和CLK信号边沿对齐;调节过程描述:DDR控制器不停地调整DQS信号相对于CLK的延迟,DRAM芯片在每个DQS上升沿采样CLK管脚上的...
动态ODT 为了提高数据总线上的信号完整性,DDR3内存中新增了一个特性,可以在不设置模式寄存器值的情况下修改ODT电阻。使能该特性后,一个不同的终端电阻值就会被写入到内存中。图4展示了在DDR3内存中使能该特性后,如何在写入操作中动态转换终端电阻,在这种情况下也无需再发送模式寄存器编程命令。
ODT是On Die Termination的缩写,又叫片内端接,顾名思义,就是将端接电阻放在了芯片内部,这个功能只有在DDR2以上的数据信号才有,其他信号无此宠幸!有了这个功能,原本需要在PCB板上加串阻的数据信号就不用再额外添加端接了,因为芯片内部可以打开这个ODT端接功能,而且端接还可调,哈哈,确实有点任性。下面是ODT 的...
对于省略终端电阻的DIMM(因为支持ODT,所以可以省略),也是同样的道理。假设使用同步模式ODT,且终结电阻被设置为150Ω,当向内存写入数据时,如果只有一个内存颗粒,那么这条内存就自己进行信号的终结,终结电阻等效为150Ω。如果为两个内存颗粒,那么他们会交错的进行信号的...
DDR之ODT_ddr3 std 大家好,又见面了,我是你们的朋友全栈君。 我们知道使用DDRSDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也...