2.2 片内端接-ODT ODT(On-Die Termination)是DDR3的一个重要特性,它为DDR3颗粒提供芯片内部的末端匹配,而不需要用户在芯片外面额外端接电阻,然而并不是所有的管脚都具备ODT功能,ODT所覆盖的管脚范围是DQ,DQS,DM信号。因此,CK以及AC信号在硬件设计时仍然需要在芯片外面增加末端匹配电阻。 DDR3 ODT的匹配电阻RTT有...
在POWER DOWN过程中,除CK_t,CK_c,ODT以及CKE以外的所有输入缓冲都是关闭的。在SELF REFRESH过程中,除CKE以外的所有输入缓冲都是关闭的。在正时钟上升边沿采样。 l CK.CK#差分时钟信号(输入): 差分时上钟输入,所有控制和地址输入信号在CK上升沿和CK#的下降沿交叉处被采样,输出数据选通(DQS,DQS#)参考与CK和CK...
DQS，DM信号。因此，CK以及AC信号在硬件设计时仍然需要在芯片外面增加末端匹配电阻。
控制器(CPU或FPGA)不停的发送不同时延的DQS 信号,DDR3 SDRAM 颗粒在DQS-DQS#的上升沿采样CK 的状态,并通过DQ 线反馈给DDR3 控制器。控制器端反复的调整DQS-DQS#的延时,直到控制器端检测到DQ 线上0 到1 的跳变(说明tDQSS参数得到了满足),控制器就锁住此时的延时值,此时便完成了一个Write leveling过程;同时...
CK,差分信号,ddr3 输入时钟,所有的控制、地址信号都以 CK 交叉点为采样点,DQS 信号也是基于此信号得到 时间参数 tRCD,行选通指令到列选通指令的延迟,以 CK 为计量单位,指行激活指令到读写指令的最小间隔 CL,列选通指令潜伏期延迟,以 CK 为计量单位,指读指令到数据读出的最小间隔 ...
Write Leveling的功能是调整DRAM颗粒端DQS信号和CLK信号边沿对齐;调节过程描述:DDR控制器不停地调整DQS信号相对于CLK的延迟,DRAM芯片在每个DQS上升沿采样CLK管脚上的时钟信号,如果采样值一直低,则会将所有的DQ[n]保持为低电平来告知DDR控制器,tDQSS(DQS, DQS# rising edge to CK, CK#rising edge,在标准中要求为...
CK/CK# 全局差分时钟,所有控制和地址输入信号在CK上升沿和CK#的下降沿交叉处被采样,输出数据选通(DQS、DQS#)参考与CK和CK#的交叉点。 CKE为时钟使能信号,使能(高)和禁止(低)内电路和DRAM上的时钟。由DDR3 SDRAM配置和操作模式决定特定电路被使能和禁止。CKE为低时,提供预充电和自刷新操作(所有Bank都处于空闲...
output [0:0]ddr3_ck_n, 管脚说明: 差分时钟输入,所有控制和地址输入信号在CK_P时钟的上升沿和CK_N的下降沿交叉处采样,输出数据选通DQS,DQS#参考CK和CK#的交叉点。 11、ddr3_dm 管脚定义: output [3:0] ddr3_dm; 管脚说明: 数据输入屏蔽,DM是写入数据的屏蔽信号,DM是写数据的输入屏蔽信号,在写数据...
tDQSCK是差分时钟的交叉点到数据选通脉冲的交叉点的时间; tQSH是DQS的差分输出高电平时间; tQSL是DQS的差分输出低电平时间; tDQSQ是最近数据选通脉冲到数据有效的时间; tQH是数据选通脉冲到最早的无效数据无法正确判断数据是否为1的时间; 读时序 ODT(On-Termination)提供打开和关闭终结电阻的功能,该功能只为DQ、...
在读取时,DQS与数据信号同时生成(也是在CK与CK#的交叉点)。而DDR内存中的CL也就是从CAS发出到DQS生成的间隔,DQS生成时,芯片内部的预取已经完毕了,由于预取的原因,实际的数据传出可能会提前于DQS发生(数据提前于DQS传出)。由于是并行传输,DDR内存对tAC也有一定的要求,对于DDR266,tAC的允许范围是±0.75ns,对于DDR3...