output [2:0] ddr3_ba, output ddr3_ras_n, output ddr3_cas_n, output ddr3_we_n, output ddr3_reset_n, output [0:0] ddr3_ck_p, output [0:0] ddr3_ck_n, output [0:0] ddr3_cke, output [0:0] ddr3_cs_n, output [1:0] ddr3_dm, output [0:0] ddr3_odt, // Input...
inout [1:0] ddr3_dqs_n, inout [1:0] ddr3_dqs_p, output [13:0] ddr3_addr, output [2:0] ddr3_ba, output ddr3_ras_n, output ddr3_cas_n, output ddr3_we_n, output ddr3_reset_n, output ddr3_ck_p, output ddr3_ck_n, output ddr3_cke, output ddr3_cs_n, output [1:...
DDR3 SDRAM 内部包含一个逻辑控制单元,内部包含模式寄存器和 命令解码器。外部通过 CS_N、RAC_N、CAS_N、WE_N 以及地址总线向逻辑控制单元输 入命令,命令经过命令解码器进行译码后,将控制参数保存到模式寄存器中,逻辑控制单 元进而控制逻辑运行。外部通过地址总线输入地址信息,地址信息在逻辑控制单元进行逻辑控制时起...
// output ddr3_cas_n.ddr3_ck_n(ddr3_ck_n),// output [0:0] ddr3_ck_n.ddr3_ck_p(ddr3_ck_p),// output [0:0] ddr3_ck_p.ddr3_cke(ddr3_cke),// output [0:0]
wire [0:0] ddr3_cs_n ; wire [1:0] ddr3_dm ; wire [0:0] ddr3_odt ; initial begin sys_clk = 0; sys_rst = 1; #100 sys_rst = 0; end always #2.5 sys_clk = ~sys_clk; //200Mhz //用计数器来产生data_in always @(posedge sys_clk or negedge init_calib_complete)begin ...
ddr3_dqs_n, ddr3_dqs_p, // outputs ddr3_addr, ddr3_ba, ddr3_ras_n, ddr3_cas_n, ddr3_we_n, ddr3_reset_n, ddr3_ck_p, ddr3_ck_n, ddr3_cke, ddr3_cs_n, ddr3_dm, ddr3_odt, init_calib_complete, // inputs
DQ0-31 如果是用四片DDR，必然会用到3个bank，三个bank必须连续，地址线控制线bank必须位于中间bank，地址线和控制线必须位于同一bank中，并且，可以位于那一个字节通道的13个引脚的任何一个。对于RDIMM和UDIMM的双插槽配置，cs，odt，cke和ck端口宽度加倍。ck对必须位于地址/控制字节通道中的任何PN对上 RESET...
output [0:0] ddr3_cs_n , //DDR3 片选 output [3:0] ddr3_dm , //DDR3_dm output [0:0] ddr3_odt , //DDR3_odt //用户 output led //错误指示信号 ); //wire define 信号定义 wire error_flag; wire ui_clk ; //用户时钟 ...
地址/控制不能在Bank之间分割。控制线(RAS_N、CAS_N、WE_N、CS_N、CKE、ODT)和地址线必须连接到不用于数据字节组的字节组。复位RESET_N可连接到器件内的任何可用引脚,包括VRN/VRP引脚(如果使用DCI级联),只要满足时序和使用适当的I/O电压标准。GUI将此管脚限制为接口所用的Bank,以优化时序,但这不是必需的。
命令输入管脚,与cas_n/we_n/cs_n定义一个命令。 6、ddr3_cas_n 管脚定义: output ddr3_cas_n; 管脚说明: 命令输入管脚,与ras_n/we_n/cs_n定义一个命令。 7、ddr3_we_n 管脚定义: output ddr3_we_n; 管脚说明: 命令输入管脚,与ras_n/cas_n/cs_n定义一个命令。