l CS#片选信号: 使能(低)和禁止(高)命令译码,当CS#为低时DDR芯片使能、CS#的参考值是 VREFCA引脚。 l RAS#,CAS#,WE#:这3个信号,连同CS#,定义一个命令,其参考值是ⅤREFCA。 l RESET# 复位信号: 低位有效,参考值是VSS,复位的断言是异步的 l ODT 片上终端使能: ODT使能(高)和禁止(低)片内终端电阻
三个信号同时进行测试，测试时用CS触发，一般情况下第一个CS就是；②. 先将力科示波器设置为滚动模式，...
CK和CK#：这两根引脚构成DDR3的差分时钟线，控制信号和地址信号会在CK的上升沿和CK#的下降沿交叉处被采集。CS#：片选信号引脚，低电平有效，用于选择芯片。RAS#：行地址选通信号引脚。CAS#：列地址选通信号引脚。WE#：写使能信号引脚。2、地址线A[14:0]：这包含了15根行地址线，从A0到A14，以及10根列地址...
Ⅳ、数据写入完成之后,拉高一个时钟周期的信号,可以定义为power_down,这里是WLAST。 Ⅴ、在W_vaild拉高之后,拉高B-ready,等待从机的反馈信号,当主机的数据传输完成之后,这时候从机 会返回一个BVALID高电平信号伴随着反馈信号,这时候拉低BREADY信号。 状态分析:大致分8个状态 IDLE:起始状态 S0:写控制和写地址通道...
Controller Chip Select Pin:片选管脚引出使能。本实验选择 enable,表示把片选信号 cs#引出来,由外部控制。 BANK_ROW_COLUMN:寻址方式选择。本实验选择第二种,即 BANK-ROW-COLUMN 的形式,这是一种最常规的 DDR3 寻址方式,即要指定某个地址,先指定 bank,再指定行,最后指定列,这样就确定了一个具体地址。一般来说...
这三个信号与CS#一起组成了DDR的命令信号。 DM为数据 掩码 (屏蔽)信号,写数据时,当伴随输入数据的DM信号被采样为高时,输入数据被屏蔽。当然DM仅作为输入脚,但是,DM负载设计成与DQ和DQS脚负载相匹配。DM的参考值是VREFCA。DM可选作为TDQS。 DQ0~DQ7为数据总线,读写操作时的数据信号通过该总线输入或输出。
ddr3_dqs_pIO数据选通差分信号的P端。ddr3_cs_nO片选信号，低电平有效。ddr3_dmO输入数据掩膜信号，高电平有效。ddr3_odtOODT引脚。接下来，我们将探讨与指令和地址相关的引脚。MIG IP主要支持读和写两种指令，而app_cmd信号则用于区分这两种指令，其中0表示写指令，1表示读指令。同时，app_addr信号提供了读、...
如图所示,CLK和CKE是一对差分时钟,CS#,WE#,CAS#,RAS#是控制信号,用来配置模式寄存器,左下角的地址线用来传输相应的地址,分别有Bank地址,行地址和列地址,中间的那一大块的作用就是选中对应的行和列,Bank存储阵列的规格是32M\*4bit,代表了四片芯片位宽为4bit的Bank,所以它的物理Bank位宽就是4\*4=16bits。右...
CS：片选信号，这个和SRAM一样，都有片选信号。RAS：行选通信号，低电平有效，SDRAM和 SRAM的寻址方式不同，SDRAM按照行、列来确定某个具体的存储区域。因此就有行地址和列地址之分，行地址和列地址共同复用同一组地址线，要访问某一个地址区域，必须要发送行地址和列地址，指定要访问哪一行？哪一列？RAS是行选...