CK/CK信号必须在DQS/DQS信号之后到达每个存储器件。CK/CK与DQS/DQS之间允许的偏差范围必须在0到1600ps之间。对于组件/UDIMM,CK/CK和DQS/DQS之间的建议偏差为150ps到1600ps,RDIMM为450ps到750ps,根据此要求进行设计时,必须考虑从FPGA到DIMM上的内存组件的总CK/CK和DQS/DQS传播延迟。 CK/CK必须在DQS/DQS之后到达...
控制器(CPU或FPGA)不停的发送不同时延的DQS 信号,DDR3 SDRAM 颗粒在DQS-DQS#的上升沿采样CK 的状态,并通过DQ 线反馈给DDR3 控制器。控制器端反复的调整DQS-DQS#的延时,直到控制器端检测到DQ 线上0 到1 的跳变(说明tDQSS参数得到了满足),控制器就锁住此时的延时值,此时便完成了一个Write leveling过程;同时...
10、ddr3_ck_p & ddr3_ck_n 管脚定义: output [0:0]ddr3_ck_p, output [0:0]ddr3_ck_n, 管脚说明: 差分时钟输入,所有控制和地址输入信号在CK_P时钟的上升沿和CK_N的下降沿交叉处采样,输出数据选通DQS,DQS#参考CK和CK#的交叉点。 11、ddr3_dm 管脚定义: output [3:0] ddr3_dm; 管脚说明:...
CK必须连接到其中一个控制字节组中的p-n差分对。组中的任何p-n对都是可接受的,包括SRCC、MRCC和DQS引脚。如果使用多个CK输出,例如dual rank,则所有CK输出必须来自同一字节通道。由于DDR2和DDR3 SDRAM的专用选通连接,字节组的DQS信号必须连接到Bank中指定的DQS对。DQ和DM(如果使用)信号必须连接到与相应DQ相关联...
.ddr3_ck_n (ddr3_ck_n ), ui_clk 图4下面②有个4:1,说明MIG输出到app接口上的时钟ui_clk=800M/4=200M,即到时我们在写RTL逻辑代码时操作MIG核时,用的就是这个200M时钟; 注:当我们选择800M时钟时,下面的PHY to Controller Clock Ratio只能选择4:1;对应过来ui_clk最大为200M;当我们clock period时...
.ddr3_ck_n(ddr3_ck_n), ui_clk图4下面②有个4:1,说明MIG 输出到app接口上的时钟ui_clk = 800M/4=200M ,即到时我们在写RTL逻辑代码时操作MIG核时,用的就是这个200M时钟; 注:当我们选择800M时钟时,下面的PHY to Controller Clock Ratio 只能选择4:1;对应过来ui_clk最大为200M;当我们clock perio...
.ddr3_ck_n (ddr3_ck_n ), 3.2 ui_clk 图4下面②有个4:1,说明MIG 输出到app接口上的时钟ui_clk = 800M/4=200M ,即到时我们在写RTL逻辑代码时操作MIG核时,用的就是这个200M时钟; 注:当我们选择800M时钟时,下面的PHY to Controller Clock Ratio 只能选择4:1;对应过来ui_clk最大为200M;当我们...
.ck (DDR3_ck_p), .ck_n (DDR3_ck_n), .cke (DDR3_cke), .cs_n (DDR3_cs_n), .ras_n (DDR3_ras_n), .cas_n (DDR3_cas_n), .we_n (DDR3_we_n), .dm_tdqs (DDR3_dm[1:0]), .ba (DDR3_ba), .addr (DDR3_addr), ...
用MIG核来驱动这片DDR3内存。DDR3的运行时钟Clock Period为400MHz(由MIG核自己产生这个时钟,从ddr3_ck_p和ddr3_ck_n引脚输出出来,用来驱动DDR3): 因为PHY to Controller Clock Ratio为4:1,所以MIG核输出的ddr3_ui_clk时钟是400MHz进行四分频后得到的100MHz时钟。ddr3_ui_clk_sync_rst为低电平时,表示ddr...
wire ddr3_cas_n ; wire [0:0] ddr3_ck_n ; wire [0:0] ddr3_ck_p ; wire [0:0] ddr3_cke ; wire ddr3_ras_n ; wire ddr3_reset_n ; wire ddr3_we_n ; wire [15:0] ddr3_dq ; wire [1:0] ddr3_dqs_n ; wire [1:0] ddr3_dqs_p ; ...