PHY使用写均衡功能以及SDRAM的反馈来调整DQS_t - DQS_c与CK_t - CK_c之间的关系。写均衡在DQS_t - DQS_c上具有可调节的延迟设置,以便将DQS_t - DQS_c的上升沿与DRAM引脚处时钟的上升沿对齐。DRAM通过DQ总线异步反馈CK_t - CK_c(以DQS_t - DQS_c的上升沿采样),写均衡反复延迟DQS_t - DQS_c,直...
2.2.3 突发DQS和DQ信号在更高速率的背景下在有限带宽的链路传输时带来更多ISI效应问题。 三DDR5测试新方法 3.1 发送端TX测试挑战 3.2 接收端RX测试挑战 四DDR、LPDDR的协议解码测试总结 DDR术语 无论对于芯片设计商还是器件制造商来说,DDR内存可谓是无处不在——除了在服务器、工作站和台式机中之外,还会内置在消...
DQS在DDR2以下为单端信号,DDR2可作为差分信号,也可做单端,做单端时需要将DQS-接地,而DDR3为差分信号,需要走线100ohm差分线。由于内部有ODT,所以DQS不需要终端并联100ohm电阻。每8bit数据信号对应一组DQS信号。 DQS信号在走线时需要与同组的DQS信号保持等长,控制单端50ohm的阻抗。在写数据时,DQ和DQS的中间对齐,...
DM 在 DQS 的两个条边沿都采样。同时,在 MR5 中的 A10,A11,A12 可选择此信号是 DM 还是 DBl。在 X8 设备中, MR1 的 A11 可控制此信号是 DM 或者 TDQS, DBI 为低电平时,DDR4 SDRAM 会将数据进行翻转存储以及输出,反之,DBI 为高电平时,则不会翻转数据,TDQS 仅支持 X8 设备。 3、LDQS_T、LDQS_C ...
tWTR_S意为在不同Bank中从写入切换到读取,所以命令行中有WR和RD命令,中间都是等待周期的校验信号;第三行地址信号,BG代表Bank Group,Bank代表Bank,Address代表行列信息,可以理解为这是一个从大到小的包含关系地址;第四行,DQS和DQ,DQ是数据传输信号,包含了真正的数据信息,DQS则是一个校准时钟信号,与DQ同步传输,...
在DQS 读写前导位,猝发第一个 bit 等等均有不同的效应和表现。此外考虑到存储电路在设计上不同于串行电路存在较多的阻抗不匹配,因此反射问题或干扰带来的 ISI 也会更严重。 图5 DDR5 在接收端采用更多的类似高速串行总线的信号处理 因此在接收侧速率大于 3600M T/s 时采用类似高速串行电路和标准总线中已经成熟...
DQS_t, DQS_c:数据选通信号。DQL0~DQL7为低7位,DQU0~DQU7为高8位。读的时候为输出,写的时候为输入。 TDQS_t, TDQS_c:对寄存器功能选通,只针对X8颗粒使用,X4/X16关闭该功能。 PAR:命令和地址奇偶校验输入,输入奇偶校验应保持在时钟的上升沿,并同时与CS_n LOW的命令和地址保持一致。
tDQSCK:是上升频闪边缘相对于CK_t, CK_c的实际位置 tQSH:描述数据频闪的高脉宽 tQSL:描述数据频闪低脉冲宽度。 tDQSQ:这描述了相关DQ数据引脚的最新有效转换。从下图中,您将看到DQS转换到DQ数据眼左边缘的时间间隔。 tQH:是相关DQ引脚的最早无效转换。从下图中,您将看到DQS从高到DQ数据眼的右边缘的时间。
DQS信号在走线时需要与同组的DQS信号保持等长,控制单端50ohm的阻抗。在写数据时,DQ和DQS的中间对齐,在读数据时,DQ和DQS的边沿对齐。DQ信号多为一驱一,并且DDR2和DDR3有内部的ODT匹配,所以一般在进行串联匹配就可以了。 4. 地址和控制 地址和控制信号速度没有DQ的速度快,以时钟的上升沿为依据采样,所以需要与...
这个过程被称为读写训练（或内存训练、初始校准），在此过程中，控制器（或PHY）会运行特定算法以对齐DRAM上的时钟[CK]和数据选通[DQS]，找出正确的DRAM读写延迟，并将数据眼置于读取的中心。如果信号完整性不佳导致数据写入或读取失败，系统将报告错误。接下来，我们将深入探讨读写训练中的各个关键环节。图 10：...