在高频信号传输中，电磁波在PCB板上的传播速度成为一个不可忽视的因素。以美光的DDR4 SDRAM MT40A系列为例，我们需要考虑走线长度差异所导致的信号相位变化。在高频信号传输中，特别是对于数据速率达到3200Mbit/s的DQS信号，其频率高达1600MHz，信号相位差与PCB走线长度差成为一个关键问题。例如，TDQS参数为625ps，...
数据选通信号:输入时与写数据同时有效,输出时与读数据同时有效,与读数据时边沿对齐的,但是跳变沿位于写数据的中心。在 x16 系统中,DQSL 对应到 DQL0_7;DQSU 对应到DQU0_7;DQS_t,DQSL_t 与 DQSU_t 分别与 DQS_c, DQSL_c与 DQSU_c,对应为差分信号对。DDR4 SDRAM 仅支持选通信号为差分信号,不支持...
i.延迟buffer的作用是为了保证DQS能够采样到DQ总线的眼图中间位置; ii.OSC的作用是在特定的时间内run_time对延迟Buffer的toggle进行计数,从而可以从计数值来获取其延迟时间,run_time越长则表示cnt的值越精确。 4.计算方法 直接参考JEDEC的公式便可,由上述理论背景则不难理解其公式: 精度计算: T/V_Dly曲线: T...
一个CPU对两个DDR时,两个DDR相对CPU摆放时要严格对称(也是相对O点进行对称)。 6、走线方式:点对点,T型拓扑方式、菊花链拓扑方式 点对点,一个CPU 仅对一个DDR, 只能用点对点的方式布线。 T型:一个CPU对两个DDR 或4个DDR,线从A点到B点,B点分支分别到C和D点。 菊花链,一个CPU对两个DDR 或4个DDR,下图...
DQS,DQS#:数据选通。读时是输出,边缘与读出的数据对齐。写时是输入,中心与写数据对齐。 TDQS,TDQS#:输出信号,终端数据选通。当TDQS使能时,DM禁止,TDQS和TDQS#提供终端电阻。 VDD:电源电压,1.5V±0,075V。 VDDQ:DQ电源,1.5V±0.075V。为了降低噪声,在芯片上进行了隔离。 VREFCA:控制、命令、地址的参考电压...
在DQS 读写前导位,猝发第一个 bit 等等均有不同的效应和表现。此外考虑到存储电路在设计上不同于串行电路存在较多的阻抗不匹配,因此反射问题或干扰带来的 ISI 也会更严重。 DDR5 在接收端采用更多的类似高速串行总线的信号处理 因此在接收侧速率大于 3600M T/s 时采用类似高速串行电路和标准总线中已经成熟的DFE...
<pin_map port_index="8" component_pin="c0_ddr4_dqs_t8"/> </pin_maps> </port_map> <port_map logical_port="DM_N" physical_port="c0_ddr4_dm_dbi_n" dir="inout" left="8" right="0"> <pin_maps> <pin_map port_index="0" component_pin="c0_ddr4_dm_dbi_n0"/> ...
LPDDR5 IOs:命令总线(CA)、数据总线(DQ/DQS)、芯片选择(CS)、时钟(CK) Bank和Bank组架构 Rank和页面大小 LPDDR5内存通道 x16/x32/x64宽度的解释 我们将从单个DRAM存储单元开始,逐步探索它是如何构成焊接在PCB上的完整内存封装的。 图0:从存储单元到存储封装 ...
而DQ和DQS作了点到点的连接。VTT表示这些信号都接了ODT端接电阻。fly-by 结构相对于T布线,有助于降低同步切换噪声(Simultaneous Switching Noise)。 Write Leveling的功能是调整DRAM颗粒端DQS信号和CLK信号边沿对齐;调节过程描述:DDR控制器不停地调整DQS信号相对于CLK的延迟,DRAM芯片在每个DQS上升沿采样CLK管脚上的...
Fly by结构的DQS和CK不等长,没有write leveling就没法调整DQS和CK之间的偏斜。拓扑结构只影响地址线的走线方式,不影响数据线。星型拓扑就是地址线走到两片DDR中间再向两片DDR分别走线,菊花链就是用地址线把两片DDR“串起来”。 DDR2是采用T形拓扑结构,是因为时序要求信号要同时到达。那DDR3采用的Fly by结构,...