在写入电平调整模式下,当DRAM看到数据选通信号(DQS)时,它会使用该信号对时钟(CK)进行采样,并通过DQ总线将采样值返回给控制器。 控制器然后发送一系列DQS脉冲。由于DRAM处于写入电平调整模式,因此它会使用DQS对CK的值进行采样,并通过DQ总线将采样值(1或0)返回给控制器。 控制器随后查看DRAM返回的DQ位的值,并根据...
在写入电平调整模式下,当DRAM看到数据选通信号(DQS)时,它会使用该信号对时钟(CK)进行采样,并通过DQ总线将采样值返回给控制器。 控制器然后发送一系列DQS脉冲。由于DRAM处于写入电平调整模式,因此它会使用DQS对CK的值进行采样,并通过DQ总线将采样值(1或0)返回给控制器。 控制器随后查看DRAM返回的DQ位的值,并根据...
1 在读DDR颗粒的PHY端,由于RDQS与DQ是边缘对齐的,所以需要通过DQS延迟将DQ上的数据稳定采样,由于DQS在空闲期间,dqs是高阻态和不稳定的前导,可能造成误采样,所以需要框出一个范围-“GATE”,用于RDQS延迟后的采样区间。门控电路可以通过组合逻辑的流水线与延迟线联合完成。 2 管脚上的延迟线:由于DDR、LVDS的BANK...
在这种背景下，猝发的DQS和DQ信号在高速传输时，由于链路带宽有限，会产生更多的ISI（符号间干扰）效应。这种干扰在DQS读写前导位和猝发第一个bit时表现得尤为明显。另外，由于存储电路的设计与串行电路存在差异，阻抗不匹配问题较为突出，因此反射干扰和ISI问题也更为严重。DDR5在接收端采用了更多高速串行总线的信号...
为了提升信号质量, 从DDR2开始将DQ, DM, DQS/DQS#的Termination电阻内置到Controller和DRAM中, 称之为ODT (On Die Termination)。Clock和ADD/CMD/CTRL信号仍需要使用外接的Termination电阻。 图8 On Die Termination 在DRAM中,On-Die Termination的等效电阻值通过Mode Register (MR)来设置,ODT的精度通过参考电阻RZQ...
1：内存运行频率超出dqs training control（数据选取脉冲控制）承载范围，请进入BIOS降低内存时钟频率，一般智能主板有（简易超频）（智能超频）会自动恢复。2：cpu针脚氧化，重新拔插一下。3：内存条与主板不兼容。1：内存条是CPU可通过总线寻址，并进行读写操作的电脑部件。内存条在个人电脑历史上曾经是主...
第一段提到，对于DDR3，在第8个数据进来后，FIFO满了，然后才把这8个数据一次性的写入DDR内部的存储单元，那么必须要求DDR的内部时钟和外部时钟有一定的约束关系，FIFO满的时候一定是以DQS下降沿采样结束的，数据手册中对DQS的下降沿与clk有一个建立时间和保持时间的约束要求的目的原来是这样。2.2 总结 DDR核心...
在DQS 读写前导位,猝发第一个 bit 等等均有不同的效应和表现。此外考虑到存储电路在设计上不同于串行电路存在较多的阻抗不匹配,因此反射问题或干扰带来的 ISI 也会更严重。 DDR5 在接收端采用更多的类似高速串行总线的信号处理 因此在接收侧速率大于 3600M T/s 时采用类似高速串行电路和标准总线中已经成熟的 ...
图8:Read DQ skew training 用固件的训练方法获取读数据眼图(Read data eye)的优化值 读数据眼图训练通过延迟读DQS的方法,把读DQS放在DQ窗口的中间。目前最大的问题是固态技术协会标准对读数据眼图的读序列定义的比较简单,比如对于DDR4,定义的序列是01010101的固定序列。因为高速信号的符号间干扰以及信号反射,在不同...
在DQS读写前导位以及猝发第一个bit时，这些信号会表现出不同的效应和特征。同时，由于存储电路的设计与串行电路存在差异，阻抗不匹配问题更为突出，这进一步加剧了反射干扰或ISI的影响。DDR5在接收端采用了更多类似于高速串行总线的信号处理技术。当接收侧速率超过3600MT/s时，会采用类似于高速串行电路和标准总线中...