控制信号 CS_n,(CS1_n) Input 片选信号:当CS_n锁存为高电平时,所有的命令都被忽略。在多Rank的系统中,CS_n信号可用来选择外部Rank,且此信号还颗作为命令编码的一部分。 ACT_n Input 激活命令输入:此信号有效代表有一个激活命令输入,同时需要CS_n信号有效。此信号有效时,RAS_n\CAS_n\WE_n将作为行地址的...
CS_n:片选信号引脚,用于选择当前操作的DDR4内存芯片。 ACT_n:激活命令输入引脚,当其为低电平时,表示DDR4内存芯片处于激活状态,可以接受读写命令。 RAS_n/A16、CAS_n/A15、WE_n/A14:这些引脚在ACT_n为低电平时作为行地址输入引脚;在ACT_n为高电平时,则作为命令输入引脚,分别对应行选通(RAS)、列选通(CAS)...
正常情况下, CA 总线两端的 DRAM 和控制器都工作于 1/2 DDR4 数据速率,而 Gear-down 模式下 DRAM 内部的 CA 总线采样时钟频率减半为 1/4 DDR4 数据速率,但是 DRAM 总线上的 CK 时钟频率不变。Gear-down 模式下,控制器可以将 CS_n、CKE 以及 ODT pin 的速率...
DRAM 在自刷新期间, 只在乎CKE 信号(什么时候退出自刷新)和RESET_n 信号(什么时候复位),其他信号一概不在乎,包括外部输入的时钟信号。 SRX 命令 SRX 命令使 DRAM 退出自刷新状态,SRX 有两种实现方式: CKE 置低一个周期后置高,置高 CS_n。 CKE 置低一个周期后置高,置低 CS_n,置高 ACT_n、WE_n、RAS_...
ddr3_ras_n, ddr3_cas_n, ddr3_we_n, ddr3_reset_n, ddr3_ck_p, ddr3_ck_n, ddr3_cke, ddr3_cs_n, ddr3_dm, ddr3_odt, init_calib_complete, // inputs sys_clk_i, sys_rst ); inout[15:0] ddr3_dq; inout[1:0] ddr3_dqs_n; ...
CS_n, (CS1_n):片选。低电平有效。CS_n可被认为命令代码。 C0,C1,C2:芯片ID。 ODT,(ODT1):片上终端使能,使能片内终端电阻。有六种选项阻值。 ACT_n:Activation Command Input激活命令输入。ACT_n 为低,RAS_n/A16,CAS_n/A15,WE_n/A14寻址,ACT_n 为高,RAS_n/A16,CAS_n/A15,WE_n/A14为命令输...
ACT_nInput激活输入命令：ACT_n定义为与CS_n一起输入的激活命令。DDR4 SDRAM使用ACT_n、CS_n、RAS_...
ACT_n:激活输入命令,与CS_n、RAS_n/A16、CAS_n/A15和WE_n/A14一起输入时表示激活命令。 RAS_n/A16、CAS_n/A15和WE_n/A14:这些引脚具有复用功能,在激活命令中作为行地址的一部分,在其他命令中则作为控制信号。 BG0-BG1:存储体组(Bank Group)输入信号,用于选择激活、读取、写入或预充电命令应用于哪个Bank...
它首先是ACTIVATE命令(对于一个时钟周期,ACT_n和CS_n被设置为LOW),然后是RD或WR命令。 ●与ACTIVATE命令同时注册的地址位用于选择要激活的BankGroup、Bank and Row。( BG0-BG1 ; BA0-BA1 ; A0-A17 ),称为RAS - Row Address Strobe.(行地址选通)...
PAR:命令和地址奇偶校验输入,输入奇偶校验应保持在时钟的上升沿,并同时与CS_n LOW的命令和地址保持一致。 ALERT_n:输出信号指示错误:CRC错误标志,命令和地址奇偶校验错误标志等。在连通性测试模式下,此引脚用作输入。是否使用此信号取决于系统。如果未作为信号连接,则必须将ALERT_n引脚绑定到板上的VDD。