对于高于1866 Mb/s的操作,此训练阶段使用命令总线训练模式(Command Bus Training mode)来使DRAM中的CS(片选)和CA(命令/地址)信号与CK(时钟)对齐。在此模式下,DRAM使用CS和CK来捕获CA引脚上的值,并将结果通过DQ[13:8]引脚反馈给控制器。 训练分为两个阶段:CS训练和CA训练。 首先进行CS训练,以将CS的跳变与C...
CS#:片选信号,为输入信号,低电平有效。 RAS#:行地址选通信号。 CAS#:列地址选通信号。 WE#:写使能信号,为输入信号,低电平有效。 BA{0-2}:BANK地址信号,为输入信号。 DQM{0-1}:数据掩码,为输入/输出双向信号,其方向与数据总线方向相同,高电平有效。 ODT:终结电阻用于提高信号的传输性能,类似终端电阻,可以...
CS#:片选信号,为输入信号,低电平有效。 RAS#:行地址选通信号。 CAS#:列地址选通信号。 WE#:写使能信号,为输入信号,低电平有效。 BA{0-2}:BANK地址信号,为输入信号。 DQM{0-1}:数据掩码,为输入/输出双向信号,其方向与数据总线方向相同,高电平有效。 ODT:终结电阻用于提高信号的传输性能,类似终端电阻,可以...
DDR SDRAM(以下简称DDR) 是一种同步DRAM,因此需要用户提供 一对差分的时钟信号 DDR内部架构由bank、行row、列col构成 引脚描述 其引脚按照功能可以分为7类: 前3类为电源、地、配置; 后4类为:控制信号(CS_n\RAS_n\CAS_n\WE_n)、时钟信号(CK\CKE)、地址信号(BG\BA\A0-A15)、数据信号(DM\DQ\DQS) NOT...
片选信号CS:当CS为低电平时,表示选中该芯片。多个芯片复用或者与NAND FlashNor Flash复用时,需要注意该信号。 行选通信号RAS列选通信号CAS:行选通信号为RAS(RowAddredd Strobe),低电平有效,列选通信号为CAS(Column Addredd Strobe),低电平有效; 写使能信号WE:写使能信号为WE(RriteEnable),低电平有效; ...
这三个信号与CS#一起组成了DDR的命令信号。 DM为数据 掩码 (屏蔽)信号,写数据时,当伴随输入数据的DM信号被采样为高时,输入数据被屏蔽。当然DM仅作为输入脚,但是,DM负载设计成与DQ和DQS脚负载相匹配。DM的参考值是VREFCA。DM可选作为TDQS。 DQ0~DQ7为数据总线,读写操作时的数据信号通过该总线输入或输出。
CS#:片选信号,低电平有效; RAS#:行地址选通信号; CAS#:列地址选通信号; WE#:写使能信号。 (2)地址线 A[14:0]:A0~A14为15根地址线,根据MT41K256M16的框图,有15根行地址线A0~A14和10根列地址线A0~A9,行地址线和列地址线进行复用,该DDR3L芯片中1个Bank的大小为2^15*2^10*2=32MB*2=64MB,总共...
1、控制组包括CS、CKE。 2、布线要求需保持完整的地和电源平面。 3、为了防止串扰,本组内信号不能和数据信号在同一个电阻排内。 DDR信号等长约束,由于DDR工作频率高,对信号等长有更严格的要求,实际的PCB设计中,对所有信号都进行等长控制是不太现实的,也没有这个必要,DDR的等长约束只需要四个参数: ...
CS:主控或 DDR memory 的片选信号 rank:就是 CS,就是片选信号 byte:主控每 8 根 DDR 信号线,成为一个 byte。所以 byte0 指 DQ0-DQ7,byte1 指 DQ8-DQ15, byte2 指 DQ16-DQ23,byte3 指 DQ24-DQ31。注意,这里的 DQ 都是说主控的,颗粒的 DQ 不一定 ...
继续初始化程序,等待初始化用到的 tDLLK, tZQinit 时序结束,再等待 1N 同步脉冲结束之后 tCMD_Gear 时序结束,DRAM 进入 Gear-down 模式(2N 模式),后续的 CS_n 等信号有效长度变成 2 个时钟周期。 在进入 Gear-down 模式后,因为命令持续时间和命令间的间隔都变成了...