对于高于1866 Mb/s的操作,此训练阶段使用命令总线训练模式(Command Bus Training mode)来使DRAM中的CS(片选)和CA(命令/地址)信号与CK(时钟)对齐。在此模式下,DRAM使用CS和CK来捕获CA引脚上的值,并将结果通过DQ[13:8]引脚反馈给控制器。 训练分为两个阶段:CS训练和CA训练。 首先进行CS训练,以将CS的跳变与C...
CS#:片选信号,为输入信号,低电平有效。 RAS#:行地址选通信号。 CAS#:列地址选通信号。 WE#:写使能信号,为输入信号,低电平有效。 BA{0-2}:BANK地址信号,为输入信号。 DQM{0-1}:数据掩码,为输入/输出双向信号,其方向与数据总线方向相同,高电平有效。 ODT:终结电阻用于提高信号的传输性能,类似终端电阻,可以...
CS#:片选信号,为输入信号,低电平有效。 RAS#:行地址选通信号。 CAS#:列地址选通信号。 WE#:写使能信号,为输入信号,低电平有效。 BA{0-2}:BANK地址信号,为输入信号。 DQM{0-1}:数据掩码,为输入/输出双向信号,其方向与数据总线方向相同,高电平有效。 ODT:终结电阻用于提高信号的传输性能,类似终端电阻,可以...
DRAM 接口所定义的 CS 片选信号就是用来设计多颗 DRAM 芯片协同工作的。作为对比,接口定义的 BG、BA、A[12:0]等地址信号,都是用来实现芯片片内寻址的。 注意在多 DRAM 芯片应用时,是不用考虑 Prefetch 倍率的,因为 Prefetch 是芯片内部的实现机制,芯片的接口已经适配了这一细节,在内存控制器看来,每个时钟周期...
片选信号CS:当CS为低电平时,表示选中该芯片。多个芯片复用或者与NAND FlashNor Flash复用时,需要注意该信号。 行选通信号RAS列选通信号CAS:行选通信号为RAS(RowAddredd Strobe),低电平有效,列选通信号为CAS(Column Addredd Strobe),低电平有效; 写使能信号WE:写使能信号为WE(RriteEnable),低电平有效; ...
* 两个16位DDR4颗粒级联时,控制线完全复用,具体包括写保护(WE_B)、行选通信号(RAS_B)、列选通信号(CAS_B)、复位信号(RESET_B)、片内短接信号(ODT)、片选引脚(CS)、激活信号(ACT_B)、警告信号(ALERT_B)、奇偶检验信号(PAR),另外测试信号分别连接499Ω电阻至GND,警告信号(ALERT_B)需要上拉至1.2V。
CS#是内存条的片选信号,用来有效选择内存条上rank, 这个信号低有效. 两个基本的概念需要分辨一下: 低有效 和 信号接地 是不一样的. "低有效"表示信号为低时,信号所对应的作用实现, 但这个信号本身可以高也可以低; 信号接地就表示这个信号永远为低了. CS#是低有效, 但不等于这个信号永远为低,很多时候CPU的...
CS#:片选信号,低电平有效; RAS#:行地址选通信号; CAS#:列地址选通信号; WE#:写使能信号。 (2)地址线 A[14:0]:A0~A14为15根地址线,根据MT41K256M16的框图,有15根行地址线A0~A14和10根列地址线A0~A9,行地址线和列地址线进行复用,该DDR3L芯片中1个Bank的大小为2^15*2^10*2=32MB*2=64MB,总共...
1、控制组包括CS、CKE。 2、布线要求需保持完整的地和电源平面。 3、为了防止串扰,本组内信号不能和数据信号在同一个电阻排内。 DDR信号等长约束,由于DDR工作频率高,对信号等长有更严格的要求,实际的PCB设计中,对所有信号都进行等长控制是不太现实的,也没有这个必要,DDR的等长约束只需要四个参数: ...
继续初始化程序,等待初始化用到的 tDLLK, tZQinit 时序结束,再等待 1N 同步脉冲结束之后 tCMD_Gear 时序结束,DRAM 进入 Gear-down 模式(2N 模式),后续的 CS_n 等信号有效长度变成 2 个时钟周期。 在进入 Gear-down 模式后,因为命令持续时间和命令间的间隔都变成了...