只需将一个2Gb内存芯片连接到LPDDR5的IOs上。 4Gb通道容量:在这里,我们有两个2Gb芯片,它们被“深度级联”,也称为2秩(Rank)配置。通过设置芯片选择0(CS0引脚)来访问芯片A,而芯片B则通过CS1引脚来选择。但是,由于一次只有一个芯片选择引脚处于活动状态,因此两个芯片共享相同的地址和数据总线。 8Gb通道容量:在这里...
只需将一个2Gb内存芯片连接到LPDDR5的IOs上。 4Gb通道容量:在这里,我们有两个2Gb芯片,它们被“深度级联”,也称为2秩(Rank)配置。通过设置芯片选择0(CS0引脚)来访问芯片A,而芯片B则通过CS1引脚来选择。但是,由于一次只有一个芯片选择引脚处于活动状态,因此两个芯片共享相同的地址和数据总线。 8Gb通道容量:在这里...
多通道(Multi Channel) 指 DRAM 控制器(集成在CPU)有多组总线(控制、片选、地址和数据总线),每一组总线可以独立访问一个 DRAM 芯片或一个 Rank,如下图。 在这种场景下,DRAM 控制器可以同时访问多个 DRAM/Rank,成倍提高了读写请求的吞吐率。不同通道的片选信号(如下图 CS0 和 CS1)可以同时处于使能状态,即...
memory、LPDDR2 memory CS:主控或 DDR memory 的片选信号 rank:就是 CS,就是片选信号 byte:主控每 8 根 DDR 信号线,成为一个 byte。所以 byte0 指 DQ0-DQ7,byte1 指 DQ8-DQ15, byte2 指 DQ16-DQ23,byte3 指 DQ24-DQ31。注意,这里的 DQ 都是说主控的,颗粒的 DQ 不一定 跟主控的 DQ 是一一对应...
我们可以把原本两根物理DIMM的内存颗粒全部安装在一块内存印刷电路板上,使得一根内存条具备两倍的内存容量。 这就相当于,物理上虽然只有一根内存条,但是通过划分不同的RANK,在逻辑上可以看成是2根内存条。 同一个RANK内部的所有内存颗粒chips,连接到同一个CS(Chip Select,片选)信号线上,内存控制器能够对同一个RANK...
一个DDR通道，通常会挂接多个Rank，这些Rank的数据线、地址线等等都是共用；数据信号也就依次传递到每个Rank，到达线路末端的时候，波形会有反射，从而影响到原始信号；因此需要加上终端电阻，吸收余波。之前的DDR，终端电阻做在板子上，但是因为种种原因，效果不是太好，到了DDR2，把终端电阻做到了DDR颗粒内部，也就...
Rank指的是连接到同一个CS(Chip Select片选)的所有内存颗粒(Chips),DDR内存控制器能够对同一个Rank的所有Chips同时进行读写操作。而在同一个Rank的Chip也分享同样的控制信号,共同协作来读取同一个地址(这个地址分散在这个Rank的不同芯片上),目的是使每个芯片的位宽小一点,降低复杂度。如图2中红色方框所示。
这个64bit的结合就称为一个物理BANK,即Physical-BANK,为了与BANK区分,称之为RANK。理论上,单根内存条最多有4个RANK。 对应到DRAM CH寄存器中的片选信号CS,就是具体选择的哪一个RANK。 如何用颗粒组成一个完整的1RANK的内存条? 首先,需要确定该颗粒的位宽是x8,x16还是x32,以x8为例,那么此时就需要8个颗粒并联...
2T 模式和 Gear-down 模式的区别在于,Gear-down 模式使能时,所有地址和控制信号的有效周期都是 2 个 CK ,包括每个 rank 上独立的 CS_n、CKE 以及 ODT 信号。在 2T 模式下,受限于多 Rank 间的时序要求,这三个信号只能持续一个 CK 周期。所以,理论上当你打开 Ge...
若你的模組有2個Rank,表示此Memory Module能接受兩條CS#的訊號,以美光Micron的模組為例它們的名稱為S0#與S1#。若分為1個Rank稱為1R,若分為2個Bank就稱為2R。下圖就是2R模組內的接線方式,你會發現相同Rank IC的CS#全部與DIMM的S0#與S1#分別接在一起。