在CKE拉高之前,时钟(CK,CK#)必须开始且稳定至少10ns或5个tCK。图中可以看到一个tIS时间,这个时间是CKE关于时钟的setup时间,因为CKE是一个同步信号。在CKE拉高之前且使用tIS设定自己的同时,NOP和Deselect命令也必须registed。在Reset之后当CKE拉高,CKE就必须持续拉高直到初始化过程结束。图中可以看到CKE持续拉高到tDLLK...
CKE:时钟使能。 CS#:片选信号,为输入信号,低电平有效。 RAS#:行地址选通信号。 CAS#:列地址选通信号。 WE#:写使能信号,为输入信号,低电平有效。 BA{0-2}:BANK地址信号,为输入信号。 DQM{0-1}:数据掩码,为输入/输出双向信号,其方向与数据总线方向相同,高电平有效。 ODT:终结电阻用于提高信号的传输性能,...
一、DDR 命令真值表 DDR的Command命令由CKE、CS#、RAS#、CAS#、WE#信号组成,这几个信号进行不同的搭配组合会形成不同的Command命令模式;(RAS: Row Address Strobe,行地址选通脉冲;CAS: Column Address Strobe,列地址选通脉冲;) Command命令与地址Address相互协同共同完成对DDR mem颗粒的访问操作。 二、ACT激活命...
CKE 信号保持为低,使 DRAM 处于自刷新状态。所以我们一般可以通过 CKE 的电平判断 DRAM 是否处于自刷新状态。 DRAM 在自刷新期间, 只在乎CKE 信号(什么时候退出自刷新)和RESET_n 信号(什么时候复位),其他信号一概不在乎,包括外部输入的时钟信号。 SRX 命令 ...
·首先上电,RESET#信号需要在电源上电完成后保持低电平200us,CKE需要在RESET#拉高之前被拉低,且最少维持10ns; ·在RESET#被拉高之后,需要等待500us直到CKE被拉高。在这段时间内,DRAM会开始内部初始化; ·在CKE拉高之前,时钟(CK、CK#)必须开始且稳定至少10ns或5个tCK,此外在这个期间必须标记一个NOP或Deselect命...
output [0:0] ddr3_cke; 管脚说明: 时钟使能信号,当其为高时时使能内部电路和DRAM上的时钟。由DDR3配置和操作模式决定特定电路的使能和禁止。CKE为低,提供PRECHARGE、POWER_DOWN、SELF_REFRESH操作(所有的bank都处于空闲),或者有效掉电(在任何bank里的行有效)。CKE与掉电模式的进入与退出状态同步,与自刷新模式...
CK_t,CK_c:差分时钟。地址&控制信号在上升沿和下降沿交叉处采样。 CKE,(CKE1):时钟使能。读/写过程中保持高电平,自刷新(Self-Refresh)和预充电(Precharge)保持低电平。 看到自刷新和预充电,那就讲一下。 DRAM(Dynamic Random-Access Memory),动态随机存取存储器。它要不断进行刷新(Refresh)才能更新数据。刷新...
设置的逻辑状态为:1 0 0 1. Reset和CKE运行状态确认: 如果不使用PD模式的话,Reset和CKE在正常运行状态下应该都保持高电平 3.2纹波测试: 纹波测试主要测试三个电压的纹波即可。 VDD <75mv VrefCA <=60mv VrefDQ <=60mv 按照正常纹波测试方法测试即可:...
时钟信号CLK:输入时钟信号; 时钟使能CKE:输入时钟使能引脚CKE,高电平有效。 电源引脚VDD和VDDQ:均采用3.3V供电。 3 DDR4电路设计 今天使用的DDR颗粒为镁光的MT40A256M16GE-075E(DDR 的厂家有三星、镁光、海力士、东芝,国产厂家有长鑫、紫光),数据位宽为16bit,存储的容量为4Gbit(容量计算请参考:硬件电路设计之DDR...
在CKE拉高之前,时钟(CK,CK#)必须开始且稳定至少10ns或5个tCK。图中可以看到一个tIS时间,这个时间是CKE关于时钟的setup时间,因为CKE是一个同步信号。在CKE拉高之前且使用tIS设定自己的同时,NOP和Deselect命令也必须registed。在Reset之后当CKE拉高,CKE就必须持续拉高直到初始化过程结束。图中可以看到CKE持续拉高到tDLLK...