但制造MOSFET时,因为有体二极管(Body Diode)并在D-S之间,故实际应用时D-S根本就是不能互换了;体二极管是MOSFET制程过程中,天然形成的,没有办法避免。如下图: 作开关管用的场效应管,就属于这种特例(一般为功率型NMOS管)。对于增强型NMOS管,从其转移特性看,其Ugs要大于开启电压(一般为几伏),管子才导通。而耗尽...
P-Channel 40-V (D-S) MOSFET Si4401DY Vishay Siliconix PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 40 RDS(on) (Ω) 0.0155 at VGS = - 10 V 0.0225 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 10.5 - 8.7 FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFETs SO-8 S1...
故实际应用时D－S根本就是不能互换了；体二极管是MOSFET制程过程中，天然形成的，没有办法避免。如下图...
维沙伊·丝芬克斯 N-通道 100V (D-S) MOSFET 产品说明书 Vishay Siliconix SiR878DP New Product Document Number: 65939S10-2685-Rev. B, 22-Nov-10 www.vishay.com 1 N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition •TrenchFET ® Power MOSFET ...
P-Channel 40 V (D-S) MOSFET Si4401DDY Vishay Siliconix PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 40 RDS(on) () 0.015 at VGS = - 10 V 0.022 at VGS = - 4.5 V ID (A)a - 16.1 - 13.3 Qg (Typ.) 33 nC S1 S2 S3 G4 SO-8 8D 7D 6D 5D FEATURES • Halogen-free According to IEC ...
电流可以双向流过 MOSFET的D和S ,正是MOSFET这个突出的优点,让同步整流中没有DCM的概念,能量可以从输入传递到输出,也可以从输出返还给输入。能实现能量双向流动。 接下来我们往深入一点来进行讨论,点、MOS的D和S既然可以互换,那为什么又定义DS呢? 对于IC内部的MOS管,制造时肯定是完全对称的,定义D和S的目的是为了...
但制造MOSFET时,因为有体二极管(Body Diode)并在D-S之间,故实际应用时D-S根本就是不能互换了;体二极管是MOSFET制程过程中,天然形成的,没有办法避免。如下图: 作开关管用的场效应管,就属于这种特例(一般为功率型NMOS管)。对于增强型NMOS管,从其转移特性看,其Ugs要大于开启电压(一般为几伏),管子才导通。而耗尽...
N-Channel 60V (D-S) MOSFET 数据手册说明书 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition •Low Threshold: 2 V (typ.)•Low Input Capacitance: 25 pF •Fast Switching Speed: 25 ns •Low Input and Output Leakage •TrenchFET ® ...
zelta助尔达ZU-T45N槽形光电传感器替代松下PM-T45槽型光电开关 ￥13.50 查看详情 松木P沟道 ME20P06-G_60V(D-S)MOSFET 原装现货 ￥0.54 查看详情 冠禹KS1212DAT 单N沟道 高级功率 MOSFET 原装现货 场效应管 ￥1.20 查看详情 松木ME15N10/ME15N10-G MOS管 N沟道 100V (D-S) MOSFET ￥0.56 ...