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CREE的1700 V碳化硅(SiC)MOSFET能够实现相对较小、高效率的功率转换系统。与硅基处理方式相比较,CREE碳化硅技术能够提高系统功率密度、较高的工作频率、较小的结构设计、更冷门的的模块、较小的模块规格(电感器、电容器、滤波器和变压器)和整体成本效率。
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