BASiC基本股份针对SiC碳化硅MOSFET多种应用场景研发推出门极驱动芯片，可适应不同的功率器件和终端应用。BASiC基本股份的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。BASiC基本股份低边驱动芯片可以广泛应用于PFC、DCDC、...
BASiC基本股份针对SiC碳化硅MOSFET多种应用场景研发推出门极驱动芯片,可适应不同的功率器件和终端应用。BASiC基本股份的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片,绝缘最大浪涌耐压可达8000V,驱动峰值电流高达正负15A,可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。 BASiC基本股份低边驱动芯片可以广泛应用于PFC、DCDC、同...
在汽车中，用到功率器件的地方很多，尤其是新能源汽车。低压部件依然多采用MOSFET。但电机控制器、DC-DC变换、充电/逆变、电空调驱动等高压部件一般使用的是IGBT功率模块，且有转向使用SiC基Mosfet的趋势。而且OBC、DC/DC已在转向使用SiC基功率器件。Cree，自成立之初就确定了SiC的发展方向。SiC单晶技术是它的核心产品...
2013年4月,Cree和Delta Energy Systems宣布推出Delta新一代太阳能逆变器,在光伏(PV)逆变器行业取得突破,该逆变器采用SiC功率MOSFET。在下一代光伏逆变器中使用SiC MOSFET可以在功率密度,效率和重量方面实现重要的新里程碑。 2013年10月,Cree宣布,Shinry Technologies采用Cree的1200-V C2M系列SiC MOSFET,实现了新的高...
Wolfspeed E-系列SiC MOSFET 和肖特基二极管产品组合完全通过了车规认证(AEC-Q101)和生产件批准程序(PPAP),并为已经强化的技术增添了出色的耐湿性能,能够在要求最为苛刻的应用中提供极低的开关损耗和较高的品质因数。 Wolfspeed WolfPACK功...
自LED后,Cree将SiC材料拓展到其他领域,成为公司另一大业务支柱,即现在的Wolfspeed部门。1991年Wolfspeed推出全球首款商用SiC晶圆,1998年创建业界首款采用SiC的GaN HEMT,进入21世纪后,公司在SiC射频器件与电力电子器件领域继续拓展,于2002年推出首款600V商用SiC JBS肖特基二极管,2011年推出业界首款SiC MOSFET。
除了Cree外，II-VI、Dow Corning、Rohm、昭和电工是主要的玩家。它们一起构成了SiC材料行业格局的基本生态，它们的动向也会对整个SiC产业产生重大影响。作为全球最大的半导体器件的主场战队，国内的SiC材料企业发展近两年也非常迅速。得益于产业链各个环节的相互支持和推动，衬底端的国内供应商已经能够大批量地提供比较...
在2011 年,在经过了将近二十年的研发之后,科锐推出了全球首款 SiC MOSFET。尽管业界先前曾十分怀疑这是否可能实现。在成功发布之前,普遍的观点是 SiC 功率晶体管是不可能实现的,因为太多的材料缺陷使其不可行。先前普遍的看法是不可能开发出可用的 SiC MOSFET,基于 SiC 的氧化物绝缘体是不可靠的。我们的友商试图...
另一方面，国际巨头频频加大布局，国内产业发展需注重资源整合。Cree通过此次业务剥离，更加专注巩固化合物半导体市场优势。此前，Infineon推出SiC和GaN的完整电源解决方案，ST的SiC MOSFET已批量应用于特斯拉电动车。国内化合物半导体各环节企业和整机应用企业需加强合作，推动以资本为纽带整合产业资源。面向5G通信基站、新能源...
INN650D260A 氮化镓MOSFET管 光伏储能系统器件 650V 14A DFN8X8 ￥7.00 查看详情 INN650N150A 车载充电器氮化稼二极管 650V 17A 转换电压MOS管 ￥1.00 获取底价 深圳源芯半导体有限公司 商品描述 价格说明 联系我们 获取底价 商品描述 价格说明 联系我们 型号 C2M0080120D 正向电压(Vf) 1200V 封装 TO-...