1. CMP 抛光垫:主要作用是储存和运输抛光液、去除磨屑和维持稳定的抛光环境等; 2. CMP 抛光液:是研磨材料和化学添加剂的混合物,可使晶圆表面产生一层氧化膜,再由抛光液中的磨粒去除,达到抛光的目的。 3. CMP 钻石碟:是 CMP 工艺中必不可少的耗材,用于维持抛光垫表面一定的粗糙状态,通常与 CMP 抛光垫配套...
CMP 全称为 Chemical Mechanical Polishing，即化学机械抛光，是普通抛光技术的高端升级版本。其中单晶硅片制造过程和前半制程中需要多次用到化学机械抛光技术。与此前普遍使用的机械抛光相比，化学机械抛光能使硅片表面变得更加平坦，并且还具有加工成本低及加工方法简单的优势，因而成为目前最为普遍的半导体材料表面平整技术。
这一过程中应用到的材料主要包括抛光液和抛光垫。从价值量占比可以看到,CMP 材料是晶圆制造的核心耗材,占晶圆制造成本约7%,价值量与光刻胶相近。 PeterX 小吧主 12 而在CMP材料细分占比当中,抛光液和抛光垫是最核心的材料,价值量占比分别为 49%和 33%。其他抛光材料还包括抛光头、研磨盘、检测设备、清洗...
CMP 抛光液市场上的厂商主要来自于美国和日本，其中 Entegris, Inc. 是全球领先的半导体及其他高科技行业先进材料和工艺解决方案供应商，2022 年 7 月完成 对全球第一大化学机械抛光液供应商、第二大化学机械抛光垫供应商 CMC Materials, Inc.的 收购。CMP 抛光液龙头卡博特微电子（Cabotelectronics，简称 CMC）原为...
今天重点分析CMP 抛光材料:价值量最大的是抛光液(安集科技)和抛光垫(鼎龙股份),目前格局是美日厂商主导,中国少数厂商实现突破,未来国产化替代空间广阔。 1.什么是CMP 工艺? CMP(化学机械抛光/研磨)是目前公认的纳米级全局平坦化精密加工技术。在集成电路制造全过程中,除集成电路设计环节外,都需要使用 CMP 工艺,其中...
近年来，随着我国晶圆厂持续扩产扩建等因素，我国CMP抛光液需求持续增长，市场规模逐年提升，由2017年的14.9亿元增长至2023年的29.6亿元，年复合增长率约为12.12%，行业需求增速显著高于全球平均增速水平。华经产业研究院研究团队使用桌面研究与定量调查、定性分析相结合的方式，全面客观的剖析CMP抛光液行业发展的总体...
CMP技术是集成电路发展的先决条件 CMP又称化学机械平坦技术，是使用化学腐蚀及机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平坦化处理。CMP设备包括 抛光、清洗、传送三大模块，其作业过程中，抛光头将晶圆待抛光面压抵在粗糙的抛光垫上，借助抛光液腐蚀、微粒摩擦、 抛光垫摩擦等耦合实现全局平坦化。目前的集成电路...
CMP，即化学机械抛光，是一种通过化学和机械相结合的方式对硅片表面进行精确研磨和抛光的技术。正是这一技术的硬件基础，它能够实现硅片表面的全局平坦化，为后续的工艺提供良好的基础。CMP设备是半导体制造领域的关键工艺设备。二、CMP设备行业发展状况和发展前景 1、CMP 设备基本情况 1）CMP主要主要过程 CMP过程包括三...
CMP技术是一种将化学腐蚀与机械研磨完美结合的表面平坦化技术。其原理的核心在于化学与机械作用的协同效应,这就如同一场精心编排的双人舞,二者相互配合、缺一不可。化学方面:抛光头将晶圆紧压在高速旋转的抛光垫上。抛光垫表面的微绒毛和微小颗粒在压力下与晶圆表面产生摩擦,去除化学作用形成的氧化层,露出新表面,新...
CMP 是半导体芯片制造工艺提升过程中不可或缺的环节。自 1965 年由 Walsh 等人提 出 CMP 抛光应用概念以来，CMP 工艺技术发展和半导体芯片制程发展高度相关。从 0.35 μm~0.25μm的半导体制程技术节点开始，CMP技术是唯一可实现全局平坦化的关键技术， 奠定了 CMP 工艺技术发展的基础；而到了 0.18～0.13μm...