这一过程中应用到的材料主要包括抛光液和抛光垫。从价值量占比可以看到,CMP 材料是晶圆制造的核心耗材,占晶圆制造成本约7%,价值量与光刻胶相近。 PeterX 小吧主 12 而在CMP材料细分占比当中,抛光液和抛光垫是最核心的材料,价值量占比分别为 49%和 33%。其他抛光材料还包括抛光头、研磨盘、检测设备、清洗...
1、 CMP 抛光垫 CMP 抛光垫的主体是基底，通常由聚氨酯加工制成，在化学机械抛光过程中，抛光垫的作用主要有：存储抛光液及输送抛光液至抛光区域，使抛光持续均匀的进行；传递材料，去除所需的机械载荷；将抛光过程中产生的副产物（氧化产物、抛光碎屑等）带出抛光区域；形成一定厚度的抛光液层，提供抛光过程中化学反...
根据SEMI数据,2014-2020年,全球CMP抛光材料市场规模从15.7亿美元提升至24.8亿美元,年均复合增长率(CAGR)约为8%,占晶圆制造材料比重约7%。 其中,2020年国内CMP抛光材料市场规模约为32亿元,近五年复合增速维持在10%左右。 展望未来,一方面,晶圆制造工艺制程缩小将进一步带来 CMP 工艺步骤增长,带动 CMP 抛光材料在晶圆制...
在晶圆进行化学机械抛光过程中，CMP 抛光垫的作用主要有：存储 CMP 抛光液及输送 CMP 抛光液至抛光区域，使抛光持续均匀 的进行，之后去除所需的机械负荷，并将抛光过程中产生的副产品（氧化产物、抛光碎屑等） 带出抛光区域，形成一定厚度的 CMP 抛光液层，为抛光过程中化学反应和机械去除提供场 所。CMP 抛光垫通...
CMP抛光材料主要产品 CMP工艺应用的主要材料和关键部件有抛光液(Slurry)、抛光垫(Pad)和修整盘(Conditioning Disc)、CMP后清洗液(Post CMP Cleaning Chemical)、保持环(Retainer Ring)、硅片吸附膜(Membrane)、清洗棉(Brush)、过滤器(Filter)等。其中,抛光液、抛光垫和修整盘是关键的三大消耗性材料。
CMP又称化学机械平坦技术，是使用化学腐蚀及机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平坦化处理。CMP设备包括 抛光、清洗、传送三大模块，其作业过程中，抛光头将晶圆待抛光面压抵在粗糙的抛光垫上，借助抛光液腐蚀、微粒摩擦、 抛光垫摩擦等耦合实现全局平坦化。目前的集成电路元件普遍采用多层立体布线，因此集成...
1.CMP 抛光：集成电路制造过程中的关键工艺 1.1.CMP 技术是集成电路生产制造的核心工艺之一 （1）CMP 技术随着芯片制程技术不断进步，经历过铝、铜、低 K 介质、钴等多种材料 技术进步。CMP（Chemical Mechanical Polishing）化学机械抛光概念从 1965 年由 Walsh 等人提出，发展至今已经成为 IC 制造工艺中不可或...
一、CMP抛光材料的种类 CMP抛光材料主要包括磨料、垫子、修正剂等。其中，磨料是直接与被抛光表面接触的材料，垫子则作为载体承载磨料和被抛光表面，修正剂则用于调整磨料和垫子的性质，提高抛光效率和均匀性。根据材料本身的性质、制作工艺和应用领域，CMP抛光材料可以分为以下几类：金刚石抛光材料碳化硅抛光材料氧化硅...
CMP又称化学机械平坦技术,是使用化学腐蚀及机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平坦化处理。CMP设备包括 抛光、清洗、传送三大模块,其作业过程中,抛光头将晶圆待抛光面压抵在粗糙的抛光垫上,借助抛光液腐蚀、微粒摩擦、 抛光垫摩擦等耦合实现全局平坦化。目前的集成电路元件普遍采用多层立体布线,因此集成电路...
CMP又称化学机械平坦技术,是使用化学腐蚀及机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平坦化处理。CMP设备包括 抛光、清洗、传送三大模块,其作业过程中,抛光头将晶圆待抛光面压抵在粗糙的抛光垫上,借助抛光液腐蚀、微粒摩擦、 抛光垫摩擦等耦合实现全局平坦化。目前的集成电路元件普遍采用多层立体布线,因此集成电路...