五、化学机械抛光(CMP)工艺技术所需材料 1.CMP 抛光垫:主要作用是储存和运输抛光液、去除磨屑和维持稳定的抛光环境等; 2.CMP 抛光液:是研磨材料和化学添加剂的混合物,可使晶圆表面产生一层氧化膜,再由抛光液中的磨粒去除,达到抛光的目的。 3.CMP 钻石碟:是 CMP 工艺中必不可少的耗材,用于维持抛光垫表面一定...
一、化学机械抛光（CMP）基本概念 CMP，即化学机械抛光，是一种通过化学和机械相结合的方式对硅片表面进行精确研磨和抛光的技术。正是这一技术的硬件基础，它能够实现硅片表面的全局平坦化，为后续的工艺提供良好的基础。CMP设备是半导体制造领域的关键工艺设备。二、CMP设备行业发展状况和发展前景 1、CMP 设备基本情况 ...
1.引言光学冷加工的基本工艺为,铣磨毛坯-精磨-抛光-定心磨边-(胶合)-清洗-镀膜-涂墨。经过精磨抛光后的透镜,一般为未定心,存在中心的偏差,分为以下两种情况:(1)光轴倾斜。(2)中心… 飯後時光 CMP化学机械抛光技术及设备拆解 化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)技术的概念是1965年由Monsanto首次提出...
化学机械抛光是集成电路制造的重要工艺之一,又被称为化学机械平坦化(Chemical Mechanical Plamarization, CMP)。20 世纪 80 年代初,IBM 公司在制造DRAM 的过程中,为了达到圆片表面金属间介电质层(IMD)的全局平坦,建立起了硅氧化物(SiO2)的 CMP 工艺,后来又扩展到对金属钨(W)的 CMP。随着晶体管集成度的不断提高...
CMP就是用化学腐蚀和机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平滑处理。 2.2 CMP工作原理[2] 如图1,将硅片固定在抛光头的最下面,将抛光垫放置在研磨盘上,抛光时,旋转的抛光头以一定的压力压在旋转的抛光垫上,由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的研磨液在硅片表面和抛光垫之间流动,然后研磨液在抛光垫的传输...
CMP在前道加工领域:主要负责对晶圆表面实现平坦化。晶圆制造前道加工环节主要包括7个相互独立的工艺流程:光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光、金属化CMP则主要用于衔接不同薄膜工艺,根据华海清科招股书中指出,前段制程工艺主要为STI-CMP和Poly-CMP,后段制程工艺主要为介质层ILD-CMP、IMD-CMP以及金属...
金融界 2024 年 11 月 26 日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市鑫德普科技有限公司申请一项名为“一种蜂窝 CMP 化学机械抛光垫及其制备工艺”的专利,公开号 CN 119017280 A,申请日期为 2024 年 10 月。 专利摘要显示,本发明属于半导体器件技术领域,具体涉及一种蜂 ...
导读:CMP工艺作为一项重要的表面处理技术,不止局限应用于半导体制造领域,还广泛应用于光学器件制造、先进封装、先进陶瓷、外观件抛光等多个领域。它通过化学反应和机械磨削相结合的方式,去除材料... 在现代科技快速发展的背景下,各类电子器件和光学器件也趋向于高精度、高性能的方向发展。然而,这些越来越精细的器件在制...
采用化学机械抛光(CMP)工艺,在半导体工业中已被广泛接受氧化物电介质和金属层平面化。使用它以确保多层芯片之间的互连是实现了介质材料的可靠和厚度是一致且充分的。在CMP过程中,晶圆是当被载体面朝下按压时,绕轴旋转以及对着旋转抛光垫覆盖的载体膜。具有特定化学性质的硅溶胶泥浆(图1)。例如,由50 - 70纳米组成的...
解析 答:化学机械抛光加工通过磨粒、工件、加工环境之间的机械化学作用,实现工件材料的微量去除,能获得超光滑、少无损伤的加工表面;加工轨迹呈现多方向性,有利于实现加工表面的均匀一致性;加工过程遵循“进化”原则,无须 很高的加工设备。 先进制造技术复习专题(五)——论述题...