CMP(Chemical Mechanical Polishing)其实为化学与机械研磨(C&MP)的意思,化学作用与机械作用平等。 目前CMP已成为半导体制程主流,其重要的原因主要有二: 1.为了缩小芯片面积,因此采用集成度高、细线化的多层金属互连线(七层以上),因线宽极细,且需多层堆叠,故光刻制程即为...
2.化学作用:化学作用是通过对表面进行化学反应来去除材料表面的氧化物和污染物,使其表面更加均匀。 3.表面静电力:抛光片与材料表面之间存在的静电力,可以将抛光片吸附在材料表面,使抛光片与材料表面之间的摩擦力增加,从而提高抛光效果。 机械化学抛光的机理可以说是机械作用和化学反应相结合的产物,通过这种方法可...
电化学机械抛光(ECMP)(1)电化学机械抛光(ECMP)的原理:利用钝化性电解液在金属表面生成钝化膜的方式在阴极和工件间接通电流时,如电流密度极小,工件表面只生成钝化膜
抛光机在高速抛光过程中,由于转动与摩擦作用,胶粒间也随之高速相对运动,能可能完全脱离其各自的分三层,这两种带不同数量净剩负电荷的胶粒,一方面在抛光机转动的带动下相对动能增大,同时在抛光压力作用下,使两种胶粒间距离也大大缩短,结果两种胶粒间引力加剧。另外,此时两种胶粒间电荷也将相互影响(可视互为外电场),皆...
化学机械抛光,也称,化学机械平坦化,是半导体器件制造工艺中的一种技术,用来对正在加工中的晶圆进行平坦化处理,结合化学作用和机械研磨技术达到对被抛光工件表面微米或纳米级的材料去除,使其表面高度平坦化
化学机械抛光(CMP)是晶圆制造的关键步骤,其作用在于减少晶圆表面的不平整,而抛光液、抛光垫是CMP技术的关键耗材,价值量较高,分别占CMP耗材49%和33%的价值量,其品质直接影响着抛光效果,因而对提高晶圆制造质量至关重要。抛光液/垫技术壁垒较高,高品质的抛光液需要综合控制磨料硬度、粒径、形状、各成分质量...
一、机械化学抛光的机理 机械化学抛光是机械加工和化学反应的综合作用。机械加工主要起到切削、磨削作用,而化学反应则通过表面活性剂和化学试剂的作用,在材料表面上直接或间接发生反应,形成一层物理或化学反应产物,进一步加速表面材料的去除和平整过程。 二、机械化学抛光的作用 机械化学抛光具有以下特点...
2、O.磁环,1-3 化学机械抛光去毛刺机理,抛光液中的腐蚀介质与被抛光表面材料发生了化学反应,生成很薄的剪切强度很低的化学反应膜,反应膜在磨粒磨削作用下被去处,从而露出新的表面,接着又继续反应生成新的反应膜,如此周而复始的进行,使表面逐渐被抛光修平,实现抛光的目的。,2.抛光皮的分类-1,是否有磨料,含氧化铈...
化学机械抛光是集成电路制造的重要工艺之一,又被称为化学机械平坦化(Chemical Mechanical Plamarization, CMP)。20 世纪 80 年代初,IBM公司在制造DRAM的过程中,为了达到圆片表面金属间介电质层(IMD)的全局平坦,建立起了硅氧化物(SiO2)的 CMP 工艺,后来又扩展到对金属钨(W)的 CMP。随着晶体管集成度的不断提高,从...