化学机械过程中,化学反应作用和机械作用相互促进,合理选择磨料、添加PH值调节剂、氧化剂以及分散剂等添加剂,使抛光过程中化学作用和机械作用动态一致时,才有可能获得高的材料去除率的同时获得好的抛光表面质量。因此,研究抛光液的组成原则对于合理配制不同材料的抛光液和优化选择抛光工艺参数,对于完善CMP抛光理论具有重要...
如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用,则会在抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹;反之,机械抛光作用大于化学腐蚀作用则表面产生高损伤层. 为了进一步了解CMP作用的本质,近年来国内外有很多关于CMP作用微观机理的研究.清华人学王亮亮、路新春的研究表明:CMP中主要是低频、大波长的表面起伏被逐渐消除,而小尺度上的粗糙度并未得...
化学机械抛光（CMP）是晶圆制造的关键步骤，其作用在于减少晶圆表面的不平整，而抛光液、抛光垫是CMP技术的关键耗材，价值量较高，分别占CMP耗材49%和33%的价值量，其品质直接影响着抛光效果，因而对提高晶圆制造质量至关重要。抛光液/垫技术壁垒较高，高品质的抛光液需要综合控制磨料硬度、粒径、形状、各成分质量浓...
具体来说,它通过在一定压力下及抛光液的存在下,晶圆与抛光垫做相对运动,借助纳米磨料的机械研磨作用与氧化剂、催化剂等的化学腐蚀作用之间的有机结合,将物质从晶圆表面逐层剥离,从而达到高度平坦化的效果。 已有的研究表明,化学机械抛光过程是化学作用、磨削作用及吸附效应同时作用的过程。下面将以硅晶片的化学机械抛光...
一、机械化学抛光的机理 机械化学抛光是机械加工和化学反应的综合作用。机械加工主要起到切削、磨削作用,而化学反应则通过表面活性剂和化学试剂的作用,在材料表面上直接或间接发生反应,形成一层物理或化学反应产物,进一步加速表面材料的去除和平整过程。 二、机械化学抛光的作用 机械化学抛光具有以下特点...
随着集成电路(IC)的快速发展,对衬底材料硅单晶抛光片表面质量的要求越来越高,化学机械抛光(CMP)是目前能实现全局平面化的唯一方法。研究硅片CMP技术中浆料性质、浆料与硅片相互作用、抛光速率及硅片CMP过程机理具有重要理论指导意义和实际应用价值。本文运用胶体化学、电
它可以在各种不同电路和芯片工艺中发挥作用,十分适应半导体工业的制造需求。虽然CMP技术利用的原理算是一种老、传统的加工方式,但是在其发挥效率和制造工艺上却颇具视角,这也是它在当前半导体工业中迅速发展的主要原因之一。 总结一下,化学机械抛光技术的原理是通过将磨料和化学药品混合在一起,形成一定浓度的溶液,然后...
CMP英文全称是Chemical Mechanical Polishing,中文是化学机械抛光,也被称作Chemical Mechanical Planarization(化学机械平坦化),是一种制作半导体器件制造工艺,主要作用是对正在加工中的晶圆进行平坦化处理。融合化学作用与机械研磨技术去除被抛光工件表面微米或纳米级的材料,达到表面高度平坦化。
化学机械平坦化,(Chemical mechanical polishing,简称CMP),也称化学机械抛光,化学机械研磨,是一种高度精确的抛光工艺。通过纳米级粒子的物理研磨作用与抛光液的化学腐蚀作用的有机结合,以获得优异的平面度。其过程可描述为: 抛光过程部分是机械的,部分是化学的。由于摩擦和腐蚀之间的协同作用,CMP 被认为是一种摩擦化学...