临界尺寸SEM（CD-SEM：临界尺寸扫描电子显微镜）是一种专用系统，用于测量在半导体 晶片上形成的精细图案的尺寸。CD-SEM主要用于半导体电子设备的生产线。与通用SEM不同的三个主要CD-SEM功能：照射到样品的CD-SEM一次电子束具有1keV或更低的低能量。 降低 CD-SEM电子束的能量可以减少由于充电或电子束辐照而对样品...
CD-SEM注重于高精度和高速度的尺寸测量,通常配备有专门设计的电子枪、透镜和检测器,以实现在高吞吐率和高重复性下获得精确的线宽测量。CD-SEM 的测量重复性约为测量宽度的 1% 3σ。 3.自动化程度差异 CD-SEM与SEM的自动化操作步骤:将样品晶圆放入晶圆盒内,然后将晶圆盒放置在 CD-SEM/SEM 上。预先将尺寸测量...
临界尺寸SEM(CD-SEM:临界尺寸扫描电子显微镜)是一种专用系统,用于测量在半导体 晶片上形成的精细图案的尺寸。CD-SEM主要用于半导体电子设备的生产线。 与通用SEM不同的三个主要CD-SEM功能: 照射到样品的CD-SEM一次电子束具有1keV或更低的低能量。 降低 CD-SEM电子束的能量可以减少由于充电或电子束辐照而对样品造成...
CD-SEM照射样品的一次电子束能量较低,为1keV或以下。这是由于光刻胶或其他微结构很脆弱,降低CD-SEM电子束的能量可以减少电子束照射对样品的损伤,这样有利于晶圆进行下一步工序。 量测精度的差异 CD-SEM注重于高精度和高速度的尺寸测量,通常配备有专门设计的电子枪、透镜和检测器,以实现在高吞吐率和高重复性下获...
研究SEM轮廓与CD-SEM匹配 背景:晶片上半导体非常精细器件的控制和表征通常通过扫描电子显微镜(SEM)进行,以从图像中提取的一对平行边缘得出临界尺寸(CD)。然而,当处理复杂的2D图案时,这种方法通常不是很可靠。另一种选择是使用SEM轮廓技术来提取图像的所有边缘。这种方法更加通用和稳健,但在制造环境中实施之前,它必须证...
CD-SEM与普通SEM的区别 虽然两者在技术原理上有很多相似之处,但由于不同的应用侧重点,CD-SEM和普通SEM在实际的配置和使用中存在较大区别。 1.电子束的能量差异 CD-SEM照射样品的一次电子束能量较低,为1keV或以下。这是由于光刻胶或其他微结构很脆弱,降低CD-SEM电子束...
基于图像分析的 CD-SEM 显微视觉清晰度检测技术研究 姜国伟, 田宝,章屠灵 摘要:在集成电路制造业,对 CD-SEM 显微图像进行精确地清晰度检测是对关键层图案的特征尺寸 CD(Critical Dimension)量测的基础。通过与目前常用的、具有代表性的多种清晰度评价方法进行实验验证分析和对比,提出一种基于小波变换和规则集合相结合...
日前，“2024集成电路产业链协同创新发展交流会暨中国集成电路创新联盟大会”在北京举行，会上颁发了“第七届集成电路产业技术创新奖”（简称IC创新奖）。经过申报、受理、评选等环节，东方晶源自主研发的关键尺寸量测设备CD-SEM成功斩获第七届IC创新奖——成果产业化奖。CD-SEM用于集成电路硅片图形关键尺寸量测，是良...
型号 CD-SEM 规格 CD 加工定制 是 新旧程度 二手 技术方案 是 是否现货 是 用途 晶圆测量 适用晶圆尺寸 200nm,300nm 测量范围 50nm~2µm 重复性 ±1%或2nm 晶圆吞吐量 24/h 放大倍数 1000 ~ 300kx 加速电压 300~1600V 主机尺寸 1200*2007*1900mm 显示装置 600*1496*1850mm 品牌 ...
(1)CDSEM SEM扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope),业界主要用来量测特征尺寸(Critical Dimension)以及表面形貌成像。其原理是通过入射电子轰击待测样品表面,样品表面原子吸收入射电子并激发产生二次电子(Secondary Electron),通过收集到的二次电子,将探测到的物理信号最终转化成样品图像信息。相较于入射电子,二次...