GaN cascode结构能有效降低导通电阻 ,减少功率损耗。它具有出色的开关速度 ,可实现高频工作。此结构能承受较高的电压 ,增强了电路可靠性。GaN cascode结构优化了栅极驱动 ,提升驱动效率。其采用特定的器件连接方式 ,发挥GaN材料优势。该结构有助于减小电路尺寸 ,实现集成化。GaN cascode结构可改善电流特性 ,提升输出...
由于Cascode GaN内部封装了两个芯片,因此包含有更多的寄生元件,加之外电路的寄生元件,在高dv/dt和di/dt作用下,开关振荡和过冲现象更为严重。由于特殊的器件结构和芯片瞬态特性,Cascode GaN对栅极驱动的要求和传统Si基IGBT或MOSFET不完全相...
Cascode GaN FET具有出色的体二极体行为。这是600V GaN Cascode开关的主要特性和优势之一:与绝缘闸双极性电晶体(IGBT)、Super-junction FET或其他矽FET相比,GaN Cascode的反向恢复电荷(Qrr)要出色得多(与SiC肖特基二极体相似)。随着温度的变化,测量的Qrr几乎是平直的,而温度升高时矽FET的Qrr会增加二至三倍。原因...
EPC9186KIT 在每个开关位置使用四个并联 GaN FET 来实现更高的额定电流，这证明了使用这种方法可以轻松...
1、cascode GaN 续流通过低压Si FET的体二极管,由于是低压器件注入电荷非常小。当低压硅FET门极被抬高后,反向电流5A时只有0.8V。如下图。 2、与超级结Si MOSFET反向恢复特性对比 3、为了最小化转换过程中的振铃,尽量减小suply node的环路电感。对与含有输出电感的的拓扑,半桥的Lout没有减小的必要。但HEMT的高端...
为提高高压电源系统能源效率,半导体业者无不积极研发经济型高性能功率场效应电晶体(FET);其中,采用Cascode结构的氮化镓(GaN)FET,由于导通和开关损耗极低,且具备比矽FET出色的反向恢复(Qrr)特性,因而能显著改善电源系统开关效率。 射频(RF)应用的氮化镓(GaN)电晶体已面世多年,最近业界的重点开发面向为电力电子应用的经...
Cascode GAN的原理是通过在生成器和判别器之间添加一个中间层来实现Cascode连接。这个中间层充当了一个缓冲区,可以有效地传递信息,并避免信息的丢失和衰减。通过Cascode连接,生成器可以更好地理解判别器对生成样本的反馈,并相应地调整生成过程,从而提高生成样本的质量。 与传统的GAN相比,Cascode GAN具有以下优势: 1. ...
摘要为了减小氮化镓驱动电路高频工作时的损耗,针对共栅共源氮化镓高电子迁移率晶体管(Cascode GaN HEMT)提出一种高频谐振驱动电路,采用储能元件替代传统驱动电路中的耗能元件,电感电流为GaN器件栅极电容充/放电,有源密勒钳位电路抑制桥臂串扰。该文重点研究高频谐振驱动电路的工作模态,对电路损耗进行详细分析,给出电感取值...
放眼目前市面上量产的 Cascode GaN 器件,其DFN封装形式都不尽相同,各厂家的 GaN 器件之间无法做到 Pin to Pin,难以引入第二供应商。 能华微电子致力于 GaN 的研发、设计、外延、制造与生产;销售可用于高性能电源转换应用的氮化镓半导体功率器件,是全球少有能同时提供增强型、Cascode 结构氮化镓器件和耗尽型直驱动方...
图1 Cascode GaN 大功率应用 e-mode和共源共栅的效率与热特性接近,但相似之处仅此而已。在器件稳定性可靠性和易操作性方面,共源共栅配置提供耐用和可靠的绝缘(介质)栅极结构。这意味着,共源共栅GaN FET的栅极耐压额定值为± 20 V(与现有硅的超结技术相同),使用简单的低成本的驱动电压为0-10或12 V的标准栅...