为提高高压电源系统能源效率,半导体业者无不积极研发经济型高性能功率场效应电晶体(FET);其中,采用Cascode结构的氮化镓(GaN)FET,由于导通和开关损耗极低,且具备比矽FET出色的反向恢复(Qrr)特性,因而能显著改善电源系统开关效率。 射频(RF)应用的氮化镓(GaN)电晶体已面世多年,最近业界的重点开发面向为电力电子应用的经...
EPC9186KIT 在每个开关位置使用四个并联 GaN FET 来实现更高的额定电流，这证明了使用这种方法可以轻松...
导入Cascode结构 GaN FET打造高效率开关 描述 为提高高压电源系统能源效率,半导体业者无不积极研发经济型高性能功率场效应电晶体(FET);其中,采用Cascode结构的氮化镓(GaN)FET,由于导通和开关损耗极低,且具备比矽FET出色的反向恢复(Qrr)特性,因而能显著改善电源系统开关效率。 射频(RF)应用的氮化镓(GaN)电晶体已面世多...
这意味着,共源共栅GaN FET的栅极耐压额定值为± 20 V(与现有硅的超结技术相同),使用简单的低成本的驱动电压为0-10或12 V的标准栅极驱动器即可。并保留了自然操作模式GaN HEMT的更好的耐压特性和开关性能。 当然,串联一个优化过的低压硅MOSFET确实会增加共源共栅模式GaN器件的RDS(on)和QRR。然而,这些增幅非常...
FET，可提供高达 20 ARMS/30 ARMS(标称/峰值)输出电流的最大电流，这证明了 GaN FET 的并联配置...
gan fet特点包括:高阻抗、低噪声、低损耗、高频率工作、耐高温等。 三、cascode连接原理 1. cascode连接简介 cascode连接是一种特殊的二级电路结构,由两个或多个晶体管级联而成,能够提高器件的整体性能。 2. gan fet cascode连接原理 gan fet cascode连接采用gan fet和其他器件(通常是MOSFET或bjt)级联的方式,以解...
One popular GaN device type is the Cascode GaN FET, which provides even more difficult challenges with its oscillation-prone device behavior. In this article, we specifically discuss how we overcome the challenges associated with Cascode GaN FET measurem
Additionally, a fast behavioral switch loss model for cascode GaN-FETs is used. This proposed fast model estimates the loss accurately without proprietary switch parasitic information. Finally, the proposed method is experimentally validated using a 5 kW cascode GaN-FET-based SST platform.Haq...
The method is proposed to add a bonding wire interconnected between the source electrode of the Si MOSFET and the gate electrode of the GaN FET in a conventional cascode structure package to reduce the most critical inductance, which provides the major switching loss for a high switching speed ...
(从外部看,Cascode 是一种常关 FET) 与SiCMOSFET 相比,EliteSiC Cascode JFET 具有更低的输出电容 Coss。输出电容较低的器件在低负载电流下开关速度更快,电容充电延迟时间更短。这意味着,由于减少了对电感器和电容器等大体积无源元件的需求,现在可以制造出更小、更轻、成本更低且功率密度更高的终端设备。