GaN实现了那些需要低Rds(on)和出色的体二极体行为的拓扑,从而将应用领域扩展到传统FET无法充分发挥作用的领域,例如无桥升压PFC和相移全桥转换器之类的高频、高效拓扑,甚至电机驱动应用也能受益,尽管它们的开关频率通常较低。GaN Cascode FET的传导损耗低于IGBT,特别是在轻负载下,适于压缩机和大多数时间在10?20%负载...
GaN功率器件的研究成果日益显著,但与碳化硅(Silicon Carbide, SiC)器件相比,其器件特性与应用的研究尚处于初步阶段,有待更深入和更系统的研究.本文主要研究对象为Cascode GaN晶体管和GaN二极管.首先介绍GaN功率器件的研究背景与国内外发展现状,对比分析单体增强型GaN晶体管与CascodeGaN晶体管的优缺点及适用场合.其次基于...
与COOLMOS器件的对比,采用Cascode结构GaN开关管的PFC电路在满载500W条件下效率提升了0.25%。关键词:宽禁带半导体器件;氮化镓;共源共栅;功率因数校正A650VGaNHEMTDeviceandItsApplicationYiPei、YongshengZhu、GuangminDeng、QiangLiu(GpowerSemiconductorInc,Suzhou,215123)Abstract:GaNdeviceshavegreatpotentialinthefieldofhigh-...
本发明公开了基于单片异质集成的Cascode结构氮化镓高电子迁移率晶体管,主要解决现有Cascode结构氮化镓高电子迁移率晶体管不能单片集成的问题。其包括:衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、Si有源层(4),该AlGaN势垒层(3)的中间刻有隔离槽,用于对GaN高电子迁移率晶体管和Si金属氧化物半导体场效应晶体管进行电气...
Cascode结构拓展电压范围 GaN HEMT和低压(20?40V)矽FET的Cascode连接如图1所示,Cascode就像工作电压范围被GaN HEMT扩展了的低压矽FET。GaN HEMT与矽FET的漏极相连,将电压范围扩展到600V之高。因为HEMT的闸极与矽FET的源极相连,所以矽FET的VDS就成了GaN HEMT的负VGS,从而自动提供必要的负偏压以实现关断操作。该结...
为提高高压电源系统能源效率,半导体业者无不积极研发经济型高性能功率场效应电晶体(FET);其中,采用Cascode结构的氮化镓(GaN)FET,由于导通和开关损耗极低,且具备比矽FET出色的反向恢复(Qrr)特性,因而能显著改善电源系统开关效率。 射频(RF)应用的氮化镓(GaN)电晶体已面世多年,最近业界的重点开发面向为电力电子应用的经...
本发明公开了基于单片异质集成的Cascode结构氮化镓高电子迁移率晶体管,主要解决现有Cascode结构氮化镓高电子迁移率晶体管不能单片集成的问题。其包括:衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、Si有源层(4),该AlGaN势垒层(3)的中间刻有隔离槽,用于对GaN高电子迁移率晶体管和Si金属氧化物半... 查看全部>> ...