C3N4 XRD标准卡片是一种用于材料结构分析的重要工具,包含了C3N4材料的晶体结构信息。XRD标准卡片通常会提供衍射角度(2θ)、衍射强度(I/I0)以及对应的晶面间距(d)等信息。这些信息对于材料的鉴定、结构分析和相变研究等具有重要意义。 二、C3N4 XRD标准...
因此,迫切需要开发新的合成策略实现金属单原子在C3N4层内和层间同步均匀锚定,以构建有效的电荷传输通道,实现光催化性能的提升。 图1. 单原子铜/C3N4催化剂的设计方案及SEM、TEM和XRD表征。 近日,黑龙江大学付宏刚教授、蒋保江研究员和中国科技大学张群教授报道了一种新的合成策略,即通过将叶绿素铜钠盐插入到三聚氰胺-...
对g-C3N4及膜进行X射线衍射(XRD)分析，光源为CuKα，加速电压为40 kV，束流为200 mA，扫描速率为5 (°)/min，分辨率为0.02°，扫描范围为0°~90°。利用扫描电镜(SEM)观察Nafion 211及复合膜的表面及断面形貌，测试前要将膜作喷金处理，喷金时间为120 s，然后置于EOLJSM6700F SEM扫描电子显微镜（加速电...
XRD分析结果表明,尿素的加入,不仅没有改变g-C3N4材料的晶体结构,而且显著提升了其结晶度。结晶度的提升,可能是由于尿素分解产生NH3,抑制了g-C3N4中N空位的生成,从而保持了g-C3N4材料键联。结晶度的提升,降低了g-C3N4材料中的缺陷浓度,有利于光生载流子的输运,从而有利于提升g-C3N4材料的光催化性能。 图1 Bulk-C...
通过X-射线粉末衍射(XRD)、冷场发射扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、紫外-可见漫反射吸收(UV-Vis DRS)等对样品的结构、形貌以及光电化学性质进行分析测试。在紫外光下降解罗丹明B(RhB),探究表面氟化对CN的光催化降解RhB性能影响。结果表...
纯g-C3N4 NSs、纯Cu2O NPs以及不同浓度Cu2O/g-C3N4异质结构的XRD谱图如图5b所示,峰的高强度证实了样品的高结晶度,同时,g-C3N4的峰值随着Cu2O浓度的增加而降低。同时,还观察到g-C3N4(0 0 2)峰展宽(图5c),证实了g-C3N4 NSs成功负载了Cu2O NPs。
纯g-C3N4 NSs、纯Cu2O NPs以及不同浓度Cu2O/g-C3N4异质结构的XRD谱图如图5b所示,峰的高强度证实了样品的高结晶度,同时,g-C3N4的峰值随着Cu2O浓度的增加而降低。同时,还观察到g-C3N4(0 0 2)峰展宽(图5c),证实了g-C3N4 NSs成功负载了Cu2O NPs。
图3为本实施例制备的石墨型C3N4材料A3的XRD图。如图3所示,本发明制备的石墨型C3N4材料在27.2°处有明显的衍射峰。 表1 本发明实施例1制备得到的石墨型C3N4材料的比表面积测试结果 由表1中的数据可得知,升温速率越快,石墨型C3N4材料的比表面积越大;当升温速率超过8℃/min,最后制得石墨型C3N4材料的量越来越少,甚...
纯g-C3N4 NSs、纯Cu2O NPs以及不同浓度Cu2O/g-C3N4异质结构的XRD谱图如图5b所示,峰的高强度证实了样品的高结晶度,同时,g-C3N4的峰值随着Cu2O浓度的增加而降低。同时,还观察到g-C3N4(0 0 2)峰展宽(图5c),证实了g-C3N4 NSs成功负载了Cu2O NPs。
为了进一步了解掺P多孔g-C3N4的生长过程和结构演变,图9系统地展示了不同含P量的对照样品的XRD谱图和SEM图像。这些对照样品(样品1-6)由不同的基质材料(多孔g-C3N4或原始g-C3N4)和不同的P源/g-C3N4质量比(10-40:1)合成,如表1...