纯g-C3N4 NSs、纯Cu2O NPs以及不同浓度Cu2O/g-C3N4异质结构的XRD谱图如图5b所示,峰的高强度证实了样品的高结晶度,同时,g-C3N4的峰值随着Cu2O浓度的增加而降低。同时,还观察到g-C3N4(0 0 2)峰展宽(图5c),证实了g-C3N4 NSs成功负载了Cu2O NPs。 图5 (a)催化剂合成示意图,(b) Cu2O/g-C3N4异质结构的XRD...
Cu2O/g-C3N4异质结构催化剂制备流程如图5a所示,通过PXRD对制备样品的纯度进行了表征。纯g-C3N4 NSs、纯Cu2O NPs以及不同浓度Cu2O/g-C3N4异质结构的XRD谱图如图5b所示,峰的高强度证实了样品的高结晶度,同时,g-C3N4的峰值随着Cu2O浓度的增加而降低。同时,还观察到g-C3N4(0 0 2)峰展宽(图5c),证实了g-C3N4 NSs...
Cu2O/g-C3N4异质结构催化剂制备流程如图5a所示,通过PXRD对制备样品的纯度进行了表征。纯g-C3N4 NSs、纯Cu2O NPs以及不同浓度Cu2O/g-C3N4异质结构的XRD谱图如图5b所示,峰的高强度证实了样品的高结晶度,同时,g-C3N4的峰值随着Cu2O浓度的增加而降低。同时,还观察到g-C3N4(0 0 2)峰展宽(图5c),证实了g-C3N4 NSs...
在向膜中引入g-C3N4之后，1 130～1 250 cm－1之间的峰强度略有降低，这可能是C-F…H-N之间形成氢键导致的。图4(a)是g-C3N4的XRD图，通过与标准卡片(JCPDS 87-1526)对比，27.63°与12.92°处的吸收峰分别对应于(002)与(100)晶面[17]。图4(b)是Nafion 211膜及复合膜的XRD图，Nafion 211及复合膜都...
的XRD图谱,2θ值为13.5°和27.3°处的衍射峰分别为g-C3N4的(100)和(002)晶面,对应于共轭碳环(002)晶面的层间堆垛及(100)晶面的面内结构堆垛.ZnO/g-C3N4复合材料的XRD图谱具有与ZnO,g-C3N4衍射峰位置相同的衍射峰,这表明该样品为ZnO/g-C3N4复合材料.此外,3种样品的XRD图谱中均没有出现多余的衍射峰,表明...
3.1.1 XRD分析 图1给出了bulk-C3N4在650 °C热处理10 min后样品的XRD图谱。所有样品的XRD峰均相同,表明快速加热处理过程没有破坏g-C3N4材料的晶体结构。衍射峰2θ= 13°左右的峰对应g-C3N4的(100)晶面,该衍射峰反应了g-C3N4材料层内七嗪环结构的周期性排列;2θ= 27°左右的衍射峰对应g-C3N4材料的(002)...
纯g-C3N4 NSs、纯Cu2O NPs以及不同浓度Cu2O/g-C3N4异质结构的XRD谱图如图5b所示,峰的高强度证实了样品的高结晶度,同时,g-C3N4的峰值随着Cu2O浓度的增加而降低。同时,还观察到g-C3N4(0 0 2)峰展宽(图5c),证实了g-C3N4 NSs成功负载了Cu2O NPs。
在向膜中引入g-C3N4之后,1 130～1 250 cm-1之间的峰强度略有降低,这可能是C-F…H-N之间形成氢键导致的。 图4(a)是g-C3N4的XRD图,通过与标准卡片(JCPDS 87-1526)对比,27.63°与12.92°处的吸收峰分别对应于(002)与(100)晶面[17]。图4(b)是Nafion 211膜及复合膜的XRD图,Nafion 211及复合膜都存在2...
图2(A)XRD图(B)傅立叶红外光谱图,(C)拉曼光谱图,(D)固体核磁谱图,和XPS(E)C1s, (F)N1s谱图 g-C3N4的两个典型的衍射峰在12.9°和27.2°的位置,分别对应与氢键相关的层内(100)和层间堆叠的(002),同时,随着氯化钾的用量增...
图1 为β-FeOOH/U-g-C3N4异质结和U-g-C3N4的XRD 图。异质结在27.4°处有1 个明显的衍射峰,为U-g-C3N4芳香物层间堆积峰,对应U-g-C3N4的(002)晶面,因复合后材料变薄,样品(002)衍射峰较U-g-C3N4出现明显的弱化。β-FeOOH/U-g-C3N4异质结的所有衍射峰与四方晶相的β-FeOOH 标准卡片(JCPDS.34-1266...