针对以上问题,本文研究了BSIM-SOI器件模型参数优化提取技术,主要工作如下: (1)优选ANN自动建立SOI器件直流模型:自动分析现有BSIM-SOI模型参数对Ⅰ-Ⅴ特性影响的敏感度,并根据其自动生成训练,测试数据,搭建,训练,尝试使用不同的评判标准优化ANN模型以提高建模精度,实验表明45nm SOI器件的ANN模型训练误差4.14%,测试误差...
一种BSIMSOI4直流模型参数的确定方法,其特征在于,包括以下步骤(1)提供若干不同沟道长度L和不同沟道宽度W的体引出结构MOSFET器件和浮体结构MOSFET器件;其中,0.85Lmin≤W≤1μm,0.85Lmin≤L≤1μm,Wmin和Lmin为工艺决定的最小值;(2)利用半导体参数测量仪测量所有体引出结构MOSFET器件和浮体结构MOSFET器件在不同温...
提取所述fdsoimosfet器件的背沟道电流作为所述bsimsoi背沟道器件模型的正沟道电流。 可选地,所述将所述bsimsoi背沟道器件模型以受控源形式与所述bsimsoi正沟道器件模型进行连接,以得到目标fdsoimosfet器件模型,包括: 将正栅压加到所述bsimsoi背沟道器件模型的背栅上,将背栅压加到所述bsimsoi背沟道器件模型的正栅上...
本文对BSIMSOI阈值电压模型中16个模型参数进行了模型参数提取.提参所需的器件在中国科学院微电子研究所标准1.2μmCMOS/SOI工艺线流片,采用了SMART2CUT衬底材料,衬底为p型,栅氧厚度19nm,硅膜厚度340nm,埋氧层为400nm.所有器件均采用了T型栅体接触技术[10]. ...
BSIMSOI4p1_bug_fixes BSIMSOI 4.1 Bug Fixes BSIM Group University of California, Berkeley BSIMSOI4.1
基于遗传算法的BSIM SOI模型参数提取 进行繁殖 适应度高的个体被选中进行交叉或基因 重组的概率高 适应度低的个体很可能被淘汰 种群 不断进行进化 最终得到种群的最优个体就是问题 的最优解 遗传算法并不直接对参数本身进行操作 而是 对参数编码进行计算 它依据每个个体的适应度在 解的空间进行搜索 而不需要进行...
BSIMSOI阈值电压模型参数的提取 维普资讯 http://www.cqvip.com
针对以上问题,本文研究了BSIM-SOI器件模型参数优化提取技术,主要工作如下: (1)优选ANN自动建立SOI器件直流模型:自动分析现有BSIM-SOI模型参数对Ⅰ-Ⅴ特性影响的敏感度,并根据其自动生成训练,测试数据,搭建,训练,尝试使用不同的评判标准优化ANN模型以提高建模精度,实验表明45nm SOI器件的ANN模型训练误差4.14%,测试误差...
摘要 本发明公开了一种BSIMSOI4直流模型参数的确定方法,该方法通过提供若干不同尺寸的体引出结构MOSFET器件和浮体结构MOSFET器件;测量所有体引出结构MOSFET器件的Id-Vg-Vp、Id/Ip-Vd-Vg、Ig-Vg-Vd、Ig-Vp、Ip-Vg-Vd、Is/Id-Vp及Id/Ip-Vp-Vd特性,以及所有浮体结构MOSFET器件的Id-Vg-Vp、Id-Vd-Vg及Ig-Vg-...
BSIMSOI模型提取教程评分: Proplus里自带的建议提取流程,在中性体区内的寄生参数提取交代得比较清楚,当然,也有一些不足。 BSIMSOI 模型2011-02-24 上传大小:893KB 所需:50积分/C币 BSIM4.5.0-MOSFET-Model-User-Manual 关于MOS的参数建模使用手册,可结合spectre进行参数仿真来学习 ...