BSC160N10NS3G TDSON-8全新原装N沟道MOSFET场效应管 100V 深圳市芯钰同电子有限公司3年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥8.39 PIC16C765-I/PT TQFP-44_10x10x08P BSC900N20NS3GBSC160N10NS3 深圳市福田区泰成动力电子商行10年 月均发货速度:暂无记录 ...
BSC160N10NS3 G 英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比,该系列在 R Ds(on)和 FOM(品质因数)方面均降低了30%。 特征描述 优异的开关性能 世界较低的 (R Ds(on)) 极低的 Qg 和 Qgd...
BSC160N10NS3 G-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,封装为DFN8(5x6),采用Trench技术。这款MOSFET能够承受高达100V的漏源电压,并支持最大65A的漏极电流。其设计特点包括低导通电阻和适中的阈值电压,使其在低栅源电压下也能高效运行。BSC160N10NS3 G-VB广泛应用于电源管理和开关控制等高电压和高电流场合,提供优异的开...
型号 BSC160N10NS3 G 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价...
商品型号 BSC160N10NS3 G-VB 商品编号 C7463910 商品封装 QFN8(5X6) 包装方式 编带 商品毛重 0.12克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)100V 连续漏极电流(Id)65A 导通电阻(RDS(on))- ...
品牌名称Infineon(英飞凌) 商品型号 BSC160N10NS3 G 商品编号 C534421 商品封装 PG-TDSON-8-EP(6x5) 包装方式 编带 商品毛重 1克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型- 漏源电压(Vdss)- 连续漏极电流(Id)- ...
爱企查为您提供深圳市微碧半导体有限公司MOS管 BSC160N10NS3 G-VB DFN8(5X6)微碧半导体场效应管电子元器件等产品,您可以查看公司工商信息、主营业务、详细的商品参数、图片、价格等信息,并联系商家咨询底价。欲了解更多晶体管、vbsemi芯片、场效应管、mos管插件、丝印贴片
数据表 CSD19534Q5AT.pdf BSC160N10NS3 G.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 宽度 - 5.15mm Rds On(Max)@Id,Vgs - 13.9mΩ 上升时间 - 15ns 漏源极电压Vds - 100V Pd-功率耗散(Max) - 60W Qg-栅极电荷 - 25nC 栅极电压Vgs - 20V 正向跨导 - 最小值 - 21S 典型关闭延迟时间 ...
BSC160N10NS3 G 制造厂商:英飞凌(Infineon) 类别封装:单端场效应管,PG-TDSON-8 技术参数:MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8 (专注销售英飞凌电子元器件,承诺原装!现货当天发货!) (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购) 点击下图下载技术文档 ...
BSC160N10NS3 G,Infineon Technologies are available at Chuangxinda Electronics. Chuangxinda offers inventory, pricing & datasheets for BSC160N10NS3 G.